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为研究功率MOSFET零温度系数点(Zero Temperature Coefficient,ZTC),不同栅极电压对温度系数的影响,本文基于阈值电压和迁移率的温度关系并结合功率MOSFET输出特性模型,得到了随栅极电压变化而出现的三种不同温度系数。利用实际测试验证了温度系数的变化规律,结果表明:在小栅极电压条件下,线性区和饱和区均为正温度系数;随栅极电压增大,线性区先进入负温度系数,饱和区仍然为正温度系数,并因此产生了零温度系数点;随栅极电压进一步增大,线性区和饱和区都进入负温度系数。同时根据测试数据,分析了ZTC在不同栅极电压条件下随温度的变化原因,并基于测试数据讨论了迁移率随栅极电压和温度的变化关系。 相似文献
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吕长志 冯士维 王东凤 张小玲 谢雪松 何焱 张浩 徐立国 袁明文 李效白 曾庆明 Lü Changzhi Feng Shiwei Wang Dongfeng Zhang Xiaoling Xie Xuesong He Yan Zhang Hao Xu Liguo Yuan Mingwen Li Xiaobai Zeng Qingming 《半导体学报》2005,26(z1):155-157
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性. 相似文献
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