基于UG和ADAMS的交流电磁接触器动作仿真

运用ADAMS软件进行交流电磁接触器的动作仿真研究,建模准确与否对仿真的结果有不可忽视的影响。运用UG三维建模软件建立CJX2-4011交流电磁接触器的主触头系统和电磁系统的模型,并将其导入ADAMS环境中进行仿真分析。     

iPB-g-MAH反应挤出工艺及性能

采用反应挤出工艺制备聚丁烯-1接枝马来酸酐改性材料,研究了挤出机温度、螺杆转速及原料放置时间对引发剂过氧化二异丙苯(DCP)、共单体苯乙烯(St)、接枝单体马来酸酐(MAH)反应体系的影响,分析了接枝物iPB-g-MAH-co-St在挤出机工业化制备中的适宜条件。结果表明,反应挤出温度对制备iPB-g-MAH的影响较大,在170～210℃区间内,接枝率最高可达3.05%,最低仅为1.29%,适宜的反应温度范围为180～200℃;螺杆转速对反应挤出制备iPB-g-MAH的接枝率影响较小,在60～140 r/min转速区间内,接枝率最大与最小值之间的差值低于40%,适宜的反应转速为120 r/min;配置好的原料放置时间过长导致过氧化二异丙苯(DCP)降解iPB-1,接枝物的接枝率与力学性能显著降低,在实际生产中需严格控制物料的放置时间。     

高压断路器分-合能力合成回路试验模拟系统设计

为在试验室条件下进行小容量的合成试验以节省调试同步控制系统的成本及方便调试同步控制系统,设计了一种合成回路试验的模拟系统。首先,在分析威尔合成试验和高压关合试验原理的基础上,计算主回路各个部分所采用的元件参数。然后根据合成试验的工作特点,设计试验回路的控制系统。利用单片机进行时序控制,得到符合要求的模拟系统。通过与同步控制系统的联调,得到电压回路的触发时间的误差50μs,延弧回路的触发时间误差40μs,可以保证合成试验的等效性,证明提出的模拟系统的可行性。     

公司社会责任法制化的必要性——浅析我国《公司法》第五条第一款

从"口号之争"到实实在在的法律制度设计,新《公司法》的出台给以公司法为代表的相关法律部门落实现代企业的社会责任提供了法律依据。对2005年修订的《公司法》第五条第一款新增的"公司承担社会责任"原则进行初步分析,并结合我国国情对该原则的内涵和理论依据做相应的阐释。     

基于Maxwell 3D/ADAMS的交流电磁接触器仿真分析

运用Maxwell3D和ADAMS建立交流电磁接触器的仿真模型,完成了主触头系统的仿真。分析了吸力随气隙的变化、触头弹簧运动,并搭建了虚拟样机。结果表明,该仿真分析有助于研究接触器的主触头系统。     

冶金级硅料在高温处理中的金属杂质表面偏聚

实验研究了经酸洗除杂的冶金级硅粉在空气中进行高温处理以再次造成表面杂质偏聚,然后继以二次酸洗去吸附除杂的方法。结果表明这种方法因其硅粉表面形成的硅氧化物进一步提高了金属杂质表面扩散偏聚的能力,比保护气氛条件下的高温处理有更好的偏聚效果,二次酸洗后金属杂质含量进一步降低。     

晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响

对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌;分析了其切割机理及去除模式;对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性;采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿命,分析Si片少子寿命随去除深度的变化趋势,根据Si片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度,测试确定Si片的损伤层厚度。经实验测得,砂浆线锯切割Si片的损伤层厚度为10μm左右,金刚石线锯切割Si片的损伤层厚度为6μm左右。结果表明,相比于砂浆线锯切割Si片,金刚石线锯切割Si片造成的表面损伤层更浅,表面的机械损伤也更小。     

引进型机组参与两班制调峰的节能效益

随着经济发展,人民生活水平的提高,社会对电能的需求不断地增长,使电网容量不断扩大,用电结构发生很大的变化,致使各大电网的峰谷差日趋增大.同时大机组参与调峰使发电煤耗大幅增加,以上海电网为例,从煤耗角度出发,分析引进型300 MW机组参与两班制调峰产生的节能效果.     

招标代理中的授权委托——以案说法

在工程建设、设备采购、服务采购中,投标人委托代理人代为投标工作是招投标工作中经常性的业务之一。投标人如何委托代理人这是操作中的实际问题,笔者结合法律服务实践案例,就招标代理中的授权委托谈谈粗浅的看法。一、案情介绍2014年4月招标人江苏某工程建设指挥部进行工程电梯供货安装招标,《电梯供货安装招标文件》,招标文件总则第1.2.1.2条载明:"同一品牌只能     

金属薄膜蠕变变形与材料结构的相关性研究

本文采用纳米压入实验方法评价金属薄膜室温蠕变变形行为与材料微观组织结构的关系。金属薄膜分别选取纳米晶体心立方（BCC）金属Mo、纳米晶面心立方（FCC）金属Ni以及非晶CuZr为研究材料,加载速率为0.005,0.05,0.1,0.2 s-1。研究发现BCC-Mo、FCC-Ni以及非晶CuZr蠕变变形均表现出很强的加载应变速率依赖性,究其原因与其主导变形机制相关。BCC-Mo蠕变行为由螺型位错主导的混合位错运动为主,FCC-Ni蠕变变形由晶界发射不全位错主导,非晶CuZr蠕变行为由剪切变形转变区（STZ）主导变行为主。