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随着半导体技术的发展,紫外(UV)LED的性能得到了很大提高,应用市场也在快速扩张。文章主要介绍近年来UV-LED芯片设计、器件封装、系统设计及应用等方面的研究进展。深紫外(DUV)LED芯片辐射效率较低,因此降低位错密度、提高芯片外量子效率是当前DUV-LED亟待解决的技术问题。而DUV-LED的应用研究仍然处于原理性的探索和验证阶段,大规模应用时面临辐射效率低、功率密度低和价格高的障碍。近紫外(NUV)LED芯片的辐射效率达到30%以上,单颗功率密度较大,可实际用于各种紫外应用领域。针对各种应用需求,已有各种UV-LED的封装结构和系统被设计和开发出来,能够制作出较大功率密度的NUV-LED光源设备。而UV-LED在医疗、生物检测、杀菌消毒、光降解、光固化等领域的应用也在不断研究开发中。 相似文献
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