不同方法精制的磷脂酰胆碱纯度及脂肪酸组成分析

利用高效液相色谱测定了不同精制提纯方法制备的磷脂酰胆碱试样的纯度.结果表明:提取的方法不同,磷脂酰胆碱的纯度也不同,且存在较大的差异,磷脂酰胆碱纯度高低顺序为柱层析法纯化的磷酯>冷冻法纯化的磷酯>乙醇溶剂法萃取的磷酯>粉末磷脂>浓缩磷脂.利用气相色谱分析了各磷脂酰胆碱试样的脂肪酸组成.结果显示:主要含棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚油酸及亚麻酸等5种脂肪酸,亚油酸、亚麻酸等不饱和脂肪酸与磷脂酰胆碱纯度呈现正相关性,硬脂酸等饱和脂肪酸与磷脂酰胆碱纯度呈现负相关性,油酸的变化趋势不明显.建立了亚油酸、棕榈酸、不饱和脂肪酸、人体必需脂肪酸等与磷脂酰胆碱纯度的关系曲线,其线性关系良好.     

利用米糟制备食用大米浓缩蛋白

在对米糟一般化学成分的含量与特性进行分析的基础上,采用已烷抽提脱脂、热水洗涤除糖等方法,制备食用大米浓缩蛋白。原料中蛋白质回收率达94.6％,产品中蛋白质含量达72.5％。     

酶法从脱脂米糠中提取蛋白质

探讨了糖酶、蛋白酶及二者配合对脱脂米糠中蛋白质的提取条件及效果。糖酶中戊聚糖复合酶的效果最好,其最佳提取条件为:pH值3.5、温度50℃、加酶量0.9%、提取时间3.5h;蛋白酶中碱性蛋白酶的效果最好,最佳提取条件为:pH值8.0、温度45℃、加酶量0.9%、提取时间3.5h。戊聚糖复合酶与碱性蛋白酶配合使用,脱脂米糠中蛋白质的提取率可达到91.6%。     

利用米糟制备食用大米浓缩蛋白

在对米糟一般化学成分的含量与特性进行分析的基础上，采用己烷抽提脱脂、热水洗涤除糖等方法，即排杂法制备食用大米浓缩蛋白。发现原料中的蛋白质回收率达到94．6％，产品中蛋白质含量达到72．5％。     

过氧化苯甲酰的性能及其在面粉中添加量的检测方法

介绍了面粉增白剂过氧化苯甲酰的理化性质与增白机理，论述了面粉中添加过氧化苯甲酰的利与弊，分析了面粉增白剂使用中存在的问题与主要原因，综述了面粉中过氧化苯甲酰的检测方法。     

生姜抗氧化成分的提取与应用

对生姜中抗氧化成分提取的方法与工艺条件进行了探讨;对提取物在植物油和富脂食品中的抗氧化保鲜作用进行了应用研究。     

生姜抗氧化成分的提取与应用

对生姜中抗氧化成分提取的方法与工艺条件进行了探讨；对提取物在植物油和富脂食品中的抗氧化保鲜作用进行了应用研究。     

长柄扁桃仁分离蛋白制取工艺的研究

长柄扁桃仁提取油脂后的饼粕富含优质蛋白质,是一种新型的优质植物蛋白质资源,研究了利用长柄扁桃仁饼制备分离蛋白产品的工艺技术。以长柄扁桃仁冷榨饼为原料,采用碱溶酸沉法制备分离蛋白,在单因素试验的基础上,通过响应面设计的方法对提取长柄扁桃仁蛋白质的工艺条件进行优化,并通过对比不同p H条件下蛋白质沉淀后的上清液中蛋白质含量,判定长柄扁桃仁蛋白质的等电点,由此确定酸沉分离长柄扁桃仁蛋白质的最佳p H值。研究发现,影响长柄扁桃仁蛋白质提取率的因素的主次顺序依次是液料比、浸提p H、提取时间;提取长柄扁桃仁蛋白质的适宜工艺条件是:液料比20∶1(m L/g),提取温度41.6℃,提取时间78.8 min,浸提p H值9.1;酸沉分离长柄扁桃仁蛋白质的最佳条件即长柄扁桃仁蛋白质的等电点(p I)是p H值4.1;在上述条件下,长柄扁桃仁蛋白质的一次提取率达到70%,分离蛋白产品的产率为36.7%,产品中蛋白质含量(N×6.25)达到92.3%。在优化的工艺条件下,碱溶酸沉法制备的长柄扁桃仁分离蛋白质产品的产率和蛋白质含量均较高,并且在制备过程中还能脱除绝大部分的苦杏仁苷,得到优质的蛋白产品。     

用响应面法优化芝麻饼中木脂素的提取工艺

采用三波长分光光度法测定芝麻饼中木脂素的含量,在单因素试验基础上,选择乙醇体积分数、液料比、时间、温度为自变量,芝麻木脂素得率为响应值,利用Box-Benhnken中心组合试验原理和响应面分析法,研究自变量交互作用及对芝麻木脂素得率的影响,模拟得到二次多项式回归方程,并确定芝麻木脂素的最佳提取工艺为:液料比(mL/g)为8∶1、提取温度为51℃、提取时间为6 h、乙醇体积分数为89%.在此条件下,芝麻饼中芝麻木脂素得率理论值为0.296%,实际值为0.298%.     

具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

为了降低绝缘体上硅（SOI）功率器件的比导通电阻,同时提高击穿电压,利用场板（FP）技术,提出了一种具有L型栅极场板的双槽双栅SOI器件新结构.在双槽结构的基础上,在氧化槽中形成第二栅极,并延伸形成L型栅极场板.漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度,提高了击穿电压;对称的双栅结构形成双导电沟道,加宽了电流纵向传输面积,使比导通电阻显著降低;L型场板对漂移区电场进行重塑,使漂移区浓度大幅度增加,比导通电阻进一步降低.仿真结果表明：在保证最高优值条件下,相比传统SOI结构,器件尺寸相同时,新结构的击穿电压提高了123%,比导通电阻降低了32%;击穿电压相同时,新结构的比导通电阻降低了87.5%;相比双槽SOI结构,器件尺寸相同时,新结构不仅保持了双槽结构的高压特性,而且比导通电阻降低了46%.