关于金属XPS的Gadzuk-unji线型

本文用数值计算分析了金属X射线光电子谱的Gadzuk-Sunjic线型,将它同Doniach-Sunjic线型作了比较,指出了它的若干不合理之处。     

半导体中非平衡载流子的输运过程(Ⅰ)

在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献,从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。由此导出了非平衡载流子寿命,复合几率的统计表达式,以及包括产生-复合过程的电荷连续性方程和稳态输运过程的电流方程。     

中能弹性背散射电子的角分布理论计算

本文用娄似单次散射理论的方法模拟了中能弹性背散射电子的极角分布(ARMEE)。计算结果和他人的实验结果和基于Monte Carlo法的结果符合得很好。本文还简单地讨论了角分辨中能弹性电子在表面分析中应用的可能性,并得到了一个和角分辨俄歇(ARAES)十分相似的计算ARMEE的公式。     

钒(100)面硫、氧偏析的角分辨AES研究

利用角分辨电子谱仪测量了偏析O存在的V(100)-(8×1)和编析S、O同时存在的V(100)-(2×2)表面中O(KVV)、S(152.5eV)与V(L_3M_ 2,_3V)的极分辨谱。O(KVV)和S(152.5eV)极分辨曲线拟合分析及(2×2)中O(KVV)/S(152.5eV)随极角θ增大而增大,得出偏析S在偏析O层之下。V(L_3M_2,_3V)Auger电子衍射分布表明该电子前向散射起主导作用。并进而讨论了偏析S、O的结构。     

V(100)面硫、氧偏析特性

一、引言钒氧化物可作为多相催化剂,钒氢化物有贮氢功能。钒金属表面物理、化学特性的研究有很重要的意义。但由于钒具有强的化学活性及体硫、氧杂质的偏析,给表面清洁带来很大困难,以至于关于钒表面物理、化学特性的研究相对较少。     

硅表面液相钝化膜及其界面的俄歇能谱研究

随着半导体技术的不断发展,新的工艺和技术不断出现,与此同时对新工艺及其结果有足够的认识也是十分必要的。本实验就是基于这一目的,对硅器件工艺中最新采用的液相钝化膜作详细分析,为了对其结构有足够深入的了解,我们同时分析了氧离子注入氧化膜,自然氧化膜,真空室制备的氧化膜,热生长氧化膜及离子溅射氧化膜,以便比较其结构上之差别。结果发现,无论是哪一种氧化膜,其Si—SiO_2界面层都不是单纯的SiO_2,而是SiOx(1≤x≤2)。除液相钝化膜外,其他各种界面过渡层均含Si(e~-O_3)及O_2—Si结构,而且热生长氧化膜和离子溅射氧化膜的过渡层中还存在Si—Si_4原子团。     

双极晶体管基区宽变效应的分析和计算

本文用两个最基本的参数,即集电极交流开路时的电压反馈因子η和发射结交流短路时的电流反馈因子σ,描述了双极晶体管基(区)宽(变)效应,导出了各种低频小信号参数。文中给出了基区杂质任意分布时的η和σ,表示式,并针对高斯分布的具体情况,计算了平面晶体管或集成晶体管的η和σ,给出了有关曲线和图表。文末讨论了通常用来描述基宽效应的Early电压与η和σ的关系。     

在GaAs上用电子束蒸发淀积LaB_6薄膜及其界面的电学特性

用自制的简便电子束蒸发炉,在GaAs(100)表面上蒸发淀积了良好的LaB_6薄膜,由AES分析表明膜成分的化学配比正确,并制成LaB_6/GaAs肖特基二极管,基势垒高度为0.75eU(Ⅰ-Ⅴ法),理想因子为1.1,反向击穿电压达16V,表明LaB_6作为GaAs MESFET的栅材料是合适的。