可切削微晶玻璃电真空的沿面闪络特性

在1350℃保温2h熔融后浇注,经500℃退火制备了55%质量分数,下同)SiO2-6?O3-8.5%(K2O-Li2O)-11.5%Al2O3-4.5%ZNO-9.5%MgO-5%F的基础玻璃,650～750℃保温2h晶化处理后制成微晶玻璃.采用X射线衍射分析微晶玻璃的物相组成,用扫描电镜观察材料的微观结构,考察晶化工艺对材料高电压真空沿面闪络特性的影响,并与A1203陶瓷沿面闪络性能进行对比.结果表明:该材料比Al2O3陶瓷具有更好的沿面闪络特性;在晶化保温时间相同时,随温度升高,微晶玻璃材料的沿面闪络电压降低;在650℃保温2h的晶化处理后,该微晶玻璃具有较优的沿面闪络特性.     

Ga2O3氮化法合成GaN薄膜的研究

采用Ga2O3与NH3在管式电炉中于高温常压下进行反应，并在硅基片上沉积GaN薄膜，研究了各种工艺参数如反应温度、NH3的流量、硅基片反应前后处理等因素对沉积GaN薄膜的影响，并通过SEM和AFM对生成物进行了分析。实验结果表明，在1125℃，NH3流量为26-30L／h时可在Si基片〈111〉面上沉积生成GaN薄膜。     

Ga2O3氮化法合成GaN粉体的研究

在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体.通过XRD和AFM对生成物进行了分析,并研究了各种工艺参数如反应温度、保温时间、NH3的流量及反应气氛等因素对生成GaN粉体的影响.结果表明用高纯Ga2O3与NH3在温度为1100℃,NH3流量为26L/h时能够合成高纯度的六方GaN粉体.     

考虑温度因素的磁流变减振器的优化设计与实验

磁流变(Magneto-rheological简称MR)减振器在运行过程中,会出现阻尼力随温度升高而下降的现象,为了在不同温度下都能输出足够的阻尼力,在结构设计时考虑温度因素至关重要。为此,本文引入了评价系数,对较高温度下MR减振器是否有能力能够输出足够的阻尼力进行衡量,并与MR减振器的最大阻尼力和动态范围作为优化目标。利用有限元方法获得了工作区域的磁感应强度,并采用响应面法建立二阶预测模型描述了磁感应强度与结构参数之间的非线性关系;结合非支配遗传算法(Non-dominated sorting genetic algorithm II,NSGA II)对MR减振器的进行了多目标优化设计,根据优化结果制造了磁流变减振器,并进行了试验测试,验证了设计方案的有效性。     

应变片在减振器预紧力测试中的应用

双筒式油压减振器已经推广为世界标准减振器。减振器封口质量是保证减振器使用寿命的前提。通过对减振器预紧力测试方法进行理论分析,结合工厂实际开发的产品进行试验验证,得出了封口预紧力的测试方法。结果表明:方法简单可行,具有实际工程意义。     

汽车悬架用双筒油压减振器注油量分析计算

双筒式油压减振器已经推广为世界标准减振器。合理的注油量是保证减振器阻尼特性和使用寿命的前提。通过对减振器注油量计算方法进行理论分析及结合工厂实际开发的产品进行试验验证,得出了简易的双筒油压减振器注油量确定方法。结果表明:该方法简单可行,具有实际工程意义。