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在高级硅微结构设计中有一个不可缺少的手段全今还未得到开发,这就是用来模拟复杂多层微结构的有限元方法和数据库.本文报道了一种模拟方法和许多例子.这种方法考虑了热诱导应力和其它一些参数,这些参数精确地预言了薄膜淀积、键合和封装过程.本方讨论了以下几个难题:(a)不同的绝缘体在硅膜片中产生不同的应力,这是一个很重要的问题,因为用作压力传感器的膜片随着技术的进展正变得越来越薄(5μm或更少些).(b)在硅膜片和梁上制作的金属线图案引起的复杂热应力模式.而这些模式除了用有限元计算外,任何方法分析起来都是困难的. 相似文献
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电流模式控制Boost变换器中的呼吸现象 总被引:6,自引:0,他引:6
本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状态.可以通过建立具有固定初相位的模拟干扰信号,并使其频率与变换器的开关频率相同,以便将呼吸现象(时间分叉)转换为参数分叉,并从分叉控制的角度来对这种呼吸现象进行合理解释和理论分析,从而给出变换器稳定设计的理论依据.理论分析结果与数值仿真是完全一致的,另外,在电路实验中也得到了印证. 相似文献
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本文给出了CMOS倒相器的高温等效电路,分析了它的高温直流传输特性和瞬态特性,文章还讨论了CMOS静态数字集成电路高温电学特性的分析方法。本文提出了的CMOS数字集成电路的高温学特性模型和实验结果相接近。 相似文献
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根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。 相似文献
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目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要.以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大.因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOS Ⅰ-Ⅴ特性的宏模型.该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛. 相似文献
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目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大。因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOSI-V特性的宏模型。该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛。 相似文献