低共熔溶剂在镁合金腐蚀防护中的应用

介绍了低共熔溶剂的性质及特点,综述了低共熔溶剂的国内外最新研究成果,特别是氯化胆碱基低共熔溶剂在镁合金腐蚀防护的应用,分析了镁合金在低共熔溶剂中进行表面处理的可行性。概述了在含氯化胆碱的低共熔溶剂介质中,通过热场、声场、电场以及DES液膜法调控开展镁合金表面化学转化膜的制备、耐蚀机理及反应介质的作用研究,同时将低共熔溶剂与疏水性仿生膜结合,设计出镁合金表面自愈合超疏水涂层。利用低共熔溶剂制备的转化膜的耐蚀性均明显高于镁合金基体,其腐蚀电流密度明显下降。最后对镁合金腐蚀防护的研究现状和方向进行了展望,希望对解决镁合金腐蚀起到一定的指导意义。     

陶瓷介质加载四臂螺旋天线

微波陶瓷介质加载的四臂螺旋天线,体积显著减小,而性能基本不变,是应用在小型化卫星导航定位设备中的理想天线。在介绍四臂螺旋天线结构组成、工作原理和发展过程的基础上,讨论了陶瓷介质加载四臂螺旋天线的特性和制作方法,并指出了存在问题和今后的研究方向。     

微扰法测量介质陶瓷薄膜的介电特性

对于介质陶瓷薄膜，特别是厚度小于1μm的介质陶瓷薄膜，我们提出了一种新的基于微扰理论的测量方法，本文对该方案进行了理论推导，获得了计算介质陶瓷薄膜复介电常数和Qf的公式，并设计了实际的测试方案，以具体的介质陶瓷薄膜作了测试验证和误差分析。结果表明，该方案是可行的，测量结果具有较高的精度(7％)，最后提出了对系统的改进方案。     

铁电阴极的发射机理及相关问题探讨

铁电阴极具有能耗小、响应速度快、真空要求低、制备简单等优点,本文重点讨论了对铁电阴极两种不同发射的解释--极化反转和等离子体发射,并对铁电阴极的制备、工作强度、典型应用等问题作了简要分析.     

压电变压器的研究进展

压电变压器利用压电陶瓷材料自身的压电和逆压电效应来实现升降压，同传统的电磁变压器相比较，具有体积小、无电磁污染、升压比随工作频率和阻抗变化的特点。本文详细评述了用于压电变压器的铁电陶瓷材料的电畴特性、性能参数和掺杂改性的方法，以及压电变压器的变压原理、一般等效电路图和各种各样的压电变压器，分析了现阶段压电变压器存在的问题，并展望了压电变压器的发展方向。     

Ni－18Cr－3．5Al合金在Cl_2－H_2O环境中的高温腐蚀

研究了Ｎｉ－１８Ｃｒ－３．５Ａｌ合金在５６５℃Ｃｌ２－Ｈ２Ｏ混合气氛中的腐蚀行为，并用ＸＰＳ分析了腐蚀产物膜的结构。在高温Ｃｌ２－Ｈ２Ｏ环境中的腐蚀由Ｃｌ２、ＨＣｌ造成的氯化过程和Ｏ２、Ｈ２Ｏ等造成的氧化过程共同引起。在高温Ｃｌ２环境中低含量Ｈ２Ｏ加速腐蚀过程，而高含量Ｈ２Ｏ延缓腐蚀过程。     

正极添加CNTs对MH /Ni电池高倍率性能的影响

对正极中添加多壁碳纳米管(CNTs)的MH／Ni电池的高倍率放电性能进行了研究。结果表明：正极中添加少量CNTs的Ni／MH电池具有优异的高倍率放电性能。利用正极中添加少量CNTs制成的标准AA型电池的内阻在14mΩ左右；在高倍率放电条件下电池有更高的放电平台，3C放电中值电压在1．167V左右，5C放电中值电压在1．108V左右；电池循环容量保持率也高于正极中不加CNTs的电池。随着循环次数的增加，正极中添加少量CNTs的电池内阻升高幅度较小。     

Mn对Fe_3Al合金室温力学性能的影响

Ｍｎ对Ｆｅ_３Ａｌ合金室温力学性能的影响楼白杨，刘茂森，毛志远，涂江平，肖延龄，钟映宏（浙江大学）Ｆｅ３Ａｌ金属间化合物具有抗氧化耐腐蚀性良、比强度高和成本低等特点［１，２］，从而具有可观的工程应用前景。对这种材料目前国内研究的热点之一是改善其室温塑?..     

含无机类富勒烯(IF)过渡族金属硫化物纳米复合涂层的环境摩擦磨损特性

采用固-气相反应、反应沉淀和溶剂热诱导法实现了IF-MoS2、IF-WS2纳米粉体的宏观量制备.分别用化学共沉积方法在硬铝基体上制备Ni-P-(IF-WS2)复合镀层,磁控溅射和激光溅射技术在硬铝合金和钛合金基体上制各(Ni,Mo)/IF-(Mo,W)S2梯度纳米复合涂层和IF-(Mo,W)S2/(Ni,Mo)-IF-(Mo,W)S2多层纳米复合涂层.用划痕仪、球-盘式摩擦仪评估纳米涂层的结合力及其在真空(10-2 Pa)和大气中的摩擦磨损性能.Ni-P-(IF-MoS2)化学复合镀层的硬度、摩擦因数和磨损率明显低于Ni-P化学镀层.梯度和多层复合结构有利于涂层与合金基体结合力的提高.(Ni,Mo)/IF-(Mo,W)S2纳米梯度复合涂层和(Ni,Mo)-IF-(Mo,W)S2/IF-(Mo,W)S2纳米多层复合涂层在不同环境下都有低的摩擦因数和磨损率.含无机类富勒烯(IF-)WS2或MoS2的纳米复合涂层具有优良的环境稳定性.     

气体微机电传感系统中的片上ESD保护

摘要是本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构.这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1)输入/输出防护,2)电源钳位3)微机电处理过程中的内部传感器电极.本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局.这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实.测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试.