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1.
2.
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300~500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大,但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰,... 相似文献
3.
通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高. 相似文献
4.
采用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO_3(Lx BGO,0≤x≤0.1)薄膜.X-射线衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜,原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行了详细的研究,发现其光学常数符合Adachi色散模型.进一步发现其禁带宽度随着镧掺杂浓度的增加而增加,该规律与理论预言相吻合.有关LxBGO材料的研究为铋基光电器件如紫外探测器的实现提供物理基础支持. 相似文献
5.
我们研究了非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的Rxx双峰间距随倾斜角度theta的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性和特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应。 相似文献
6.
SrBi2?χNdχNb2O9 (χ=0, 0.1, 0.2 and 0.4) bismuth layer-structured ferroelectric ceramics were prepared by the solid-state reaction sintering method. The accurate position of Nd element in SrBi2?χNdχNb2O9 ceramics was determined by the X-ray Rietveld method and Synchrotron radiation X-ray absorption fine structure (XAFS) technology. The partial substitution of Nd3+ for Bi3+ leads to the decrease in the distortion of NbO6 octahedron for SrBi2?χNdχNb2O9 ceramics and also lowers the piezoelectric properties of SrBi2?χNdχNb2O9 ceramics. Meanwhile, the temperature coefficient of resonant frequency (TCF) decreases when Nd element partially replaces Bi element in SrBi2?χNdχNb2O9 ceramics. 相似文献
7.
Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的导带电子有效质量 总被引:1,自引:1,他引:0
褚君浩 《红外与毫米波学报》1985,4(6)
根据Hg_(1-x)Cd_xTe本征吸收光谱拟合计算获得的能带参数,利用Kane模型得到导带底电子有效质量的计算公式:(m_0~*/m_0)=0.05966E_g(E_g 1)/(E_g 0.667)。再根据(m~*/m_0)=(m_0~*/m_0)((1 8P~2K~2)/3E_g~2)~(1/2),可以计算波矢为k处的导带电子有效质量,计算结果与实验结果符合较好。 相似文献
8.
9.
通过光刻和湿化学腐蚀工艺,成功制作出规格为2×8的多元锰钴镍氧薄膜红外探测器件.测试表明,室温下锰钴镍氧薄膜材料负电阻温度系数达-3.8%K-1.10 Hz调制频率和±15 V电压偏置条件下,线列器件典型探测元黑体响应率为107 V/W,探测率为2×107cmHz1/2/W,8元器件响应不均匀度为5.9%.实验结果表明锰钴镍氧薄膜焦平面器件制备的可行性,有可能作为新型室温全波段探测器件得到应用. 相似文献
10.
用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5~ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 . 相似文献