KTP内腔倍频YAG激光器

我们研制了一台KTP内腔倍频YAG激光器,输出平均功率达8.9W,脉宽70ns,发散角5mrad。 内腔倍频YAG激光器是获得高平均功率绿光的有效方法之一,但在钛氧磷酸钾(KTiOPO_4)出现以前,大多采用LiIO_3、LiNbO_3和Ba_2NaNb_5O_16作为倍频晶体。它们或者由于倍频系数不够高,或者由于破坏阈值低,或者由于使用条件苛刻等原因,倍     

砷酸二氘铯(CD~*A)晶体的倍频效应

我们使用CD~*A晶体对Nd:YAG激光进行了倍频实验.并与ADP、KDP、KD~*P、LI等晶体(本所生长)进行了比较.实验结果表明CD~*A晶体是对高功率钕激光的良好倍频材料.实验使用Nd:YAG脉冲激光器,电光调Q,无放大级.1.06微米激光峰值功率20兆瓦(133兆     

在KB_5晶体中和频产生0.2128μm紫外光

本文报导了在KB_5晶体中,对1.06μm和0.266μm在室温下进行和频,得到了0.2128μm紫外光。     

红外吸收谱测量过程中的磁场效应

以氢化非晶硅(a-Si∶H)膜处于恒定和交变磁场中,膜中硅氢键(Si-H)相关伸缩振动吸收带(2100cm~(-1)-1900cm~(-1))发生变化的结果来研究磁场对红外吸收谱测量中的影响.     

MOCVD掺A_s的S_nO_2透明导电膜

本文采用有机金属化合物气相沉积(MOCVD)技术制备了可见光透过率>90％(厚度为10~2-10~4)、薄层方块电阻值为38-56Ω/□的SO_2·A,多晶透明导电薄膜,并简要报道了利用X射线衍射、电子衍射、扫描电子显微镜以及紫外可见吸收光谱等方法对膜层结构及性能的研究结果。     

TRANSPARENT AND CONDUCTIVE OXIDE FILM GROWTH AND APPLICATION

1 INTRODUCTIONThe conversion of solar energy into electrical or chemical energy in aphotoelectrochemical cell has been investigated.And so has the conversion of visiblelight spectrum to store the chemical energy of hydrogen from artifical sea-water in anovel semiconductor septum electrochemical photovoltaic(SC-SEP)cell [1,2].The mainproblems awaiting better solutions are the conversion efficiency of the cell and thestability of the wide band and the narrow band gap semiconductors.This relates,in     

a-Si:H薄膜中氢退火行为IR谱研究

采用红外吸收(IR)谱法并借助于扫描电子显微镜(SEM)研究了掺氢非晶态硅(a-Si:H)薄膜(厚度0.5-4μm)中硅氢健(Si-H)的断裂和转化特性(SiH→SiH_2)以及氢逸出膜表面的机理。     

臭氧光解时产生O(~1D)与异丁烷的反应

本文利用四倍频的YAG激光使臭氧光解,产生激发态的氧原子。研究了激发态氧原子与异丁烷的反应及其反应机理。     

激光加热无坩埚提拉生长硅酸钕单晶

利用激光加热无坩埚提拉生长纤维单晶设备,成功地生长出硅酸钕单晶。并对其进行了X射线扮来衍射、电子探针分析、差热分析,X射线精密照相机衍射和偏光显微镜等测试。确认单晶的化学组成为Nd_4Si_3O_(12)。在1350℃左右晶体有相变。在室温下其结构属于六方晶系。