非晶La2O3薄膜的阻变存储性能研究

采用脉冲激光技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶La2O3薄膜,制作并分析了Pt/La2O3/Pt堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的电阻转变特性。Pt/La2O3/Pt器件单元表现出了稳定的双极性电阻转变,其高低阻态比大于两个数量级。经过大于1.8×106s的读电压,高低阻态的电阻值没有明显的变化,表现出了良好的数据保持能力。通过研究高低阻态的电流电压关系、电阻值与器件面积的关系,揭示了导电细丝的形成和破灭机制是导致Pt/La2O3/Pt器件发生电阻转变现象的主要原因。     

Al2O3界面钝化与热处理对Gd2O3-HfO2高κ薄膜电性能影响

采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移.高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20.     

基于加权VQ的说话人识别中权值产生方法的研究

文中研究了在基于矢量量化的话人识别方法中采用加权的失真测度对识别率的影响.在采用加权欧氏距离失真测度时,分别对采用传统的标准差来描述的类内聚合程度,引入标量量化的失真测度来描述类间离散程度,并产生相应的权值对参数通道进行预加重来进行识别,通过试验,通过实验验证了基于标准差(SD-WDMVQ),基于标量量化的(SQQ-WDMIQ)和综合考虑类内类间距离的(WDMVQ)可以得到更高的识别率.     

偏心回转摆动式递纸机构的弹性动力分析 上

递纸机构的弹性问题对递纸机构运动误差的影响是印刷机机构学研究的重点内容之一,本文通过对偏心回转摆动式递纸机构进行弹性动力分析,给出了递纸机构的精确模型和简化模型,这对递纸机构的设计具有重要的指导意义。     

高分子修复技术在循环水泵修复中的应用

贝尔佐纳高分子修复材料具有良好的综合性能，耐磨损，耐腐蚀，是一种快速、简便和价廉的工艺方法，是设备维修的有效手段。针对南京梅山能源有限公司6#循环水泵因汽蚀而造成效率下降、运行不稳定等问题，利用高分子修复技术对泵体进行修复改进，从节约检修费用和节能降耗等方面分析了该项技术的应用效果。     

非易失性阻变存储器研究进展

随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器具有高速读写、存储密度高、能耗低等优点引起了微电子产业界广泛关注。介绍了阻变存储器的阻变行为,综述了目前研究的存储机制、性能及其改善方法、材料体系、器件结构,并展望了阻变存储器的应用前景。     

Gd2O3-HfO2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析

以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为“cube-on-cube”,GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110] GDH∥[110]Ge.通过反射式高能电子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响,分析了二者与薄膜的取向关系,激光烧蚀能量对薄膜取向影响更为显著.得到较优的GDH外延薄膜沉积工艺为:激光烧蚀能量为3 J·cm-2、薄膜的沉积温度为600℃.用磁控溅射制备了Au/Ti顶电极和Al背电极,其中圆形的Au/Ti电极通过掩膜方法获得,直径为50μm.采用Keithley 4200半导体测试仪对所制备Au/Ti/GDH/Ge/Al 堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析,测试条件为:I-E测试的电场强度0～6MV·cm-1,C-V测试的频率300 kHz～1 MHz,结果表明,厚度为5nm的GDH薄膜具备良好介电性能:k-28,EOT ～0.49 nm,适于22 nm及以下技术节点集成电路的应用.     

磁性传感材料与器件研究进展

磁性材料是一种既古老又新颖的功能材料,磁性材料本身具有诸多特殊性质,正是基于此类特性,磁性材料可以完成外界物理量与磁信号之间的相互转换,由此制成各种类型的磁性传感器.随着传感器向着智能化、微型化、多功能化、高灵敏度、低功耗、高可靠性发展,新型磁性传感器种类也迅速增加,应用场景愈加广阔.然而,由于人类对磁信号的探测及处理远不如电学信号成熟,磁性传感器的应用仍有诸多问题尚未解决.材料的研究者们更关注新磁学现象,而能成功应用于传感器的磁性材料除了其特有的磁敏特性外,还应根据其具体应用场景提高它的其他物理性能,而传感器的研究者们在解决传感器微型化、高灵敏度等问题时并不会优先从材料角度考虑问题,导致某一类磁性材料从发现到其成熟应用于传感器所经历的周期过长,而很多已发现的磁性材料并未找到合适的应用场景.从材料角度而言,目前在传感器领域应用最多的是磁电阻材料,其广泛应用于位移传感器、角速度传感器、硬盘磁头、非接触电流测量等领域.其他研究较成熟的磁性材料如软磁材料、磁致伸缩材料、磁电复合材料、磁流体材料等在传感器领域也有一定的应用,如力学传感器、生物传感器、光学传感器等.为了使磁性传感器有广泛的应用,磁性材料及磁性传感器的研究者们应从应用角度出发,根据不同应用场景,提出更为全面具体的材料性能要求,以此为目标,对现有的磁性材料进行改性处理,或研发新型磁性材料,加快磁性材料及磁性传感器领域的发展.本文综述了多种磁性材料(包括磁电阻材料、高磁导率软磁材料、巨磁阻抗材料、磁致伸缩材料、磁光材料、磁电复合材料、磁流体材料等)在磁场探测、光学传感、力学传感、生物传感、电流传感等方面的应用以及研究进展,并从应用的角度出发,展望了未来磁性材料及磁性传感器的发展前景,以期为新型磁性传感器的制造及应用提供参考.     

磁悬浮轴承内圆磨床电主轴及其控制

为了解决内圆磨床电主轴用磁悬浮轴承控制系统工业应用的问题 ,利用线性二次型最优控制理论设计了模拟PID控制器 ,通过MATLAB软件仿真研究和实验 ,实现了磁悬浮轴承内圆磨床电主轴的实验室运转。又进行了工厂环境下的应用实验 ,结果表明 ,内圆磨床电主轴用磁悬浮轴承控制系统在主轴转速、运转精度、磨削刚度和稳定性等方面已经初步满足工厂应用的要求。附图 5幅 ,参考文献 2篇。     

低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯。XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长。拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构。通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性。在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因。同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳;而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低。