13.9—15.6MeV中子引起的~(65)Cu(n,p)~(65)Ni反应中剩余核反冲平均投影射程的测定

剩余核反冲平均投影射程(以下简称反冲射程)的研究已成为研究中能核反应的有用工具之一。剩余核反冲射程的测定能反映出在核反应中所发射粒子的角分布和能谱。当出射粒子以各向同性或以90°为对称发射时,剩余核的朝前和朝后反冲射程比必定较大。这时,复合核反应机制起主要作用。当出射粒子朝前发射多于朝后发射时,朝前与朝后反冲射程比下降,即发生直接作用过程。因此,核反应机制可以通过测量剩余核的反冲射程来研     

用阈探测法求解20MeV电子韧致辐射谱

实验用阈探测法测定了电子与金靶作用产生的韧致辐射谱。韧致辐射通量是利用光核反应产生的放射性强度由计算程序ＢＲＡＮ计算得到的。韧致辐射光能量是将正交多项式展开系数用最小相对偏差法计算得到的。     

关于不破坏中子活化分析中的若干问题

不破坏中子活化分析的特点是无需进行化学分离,只利用具有高分辨能力的γ谱仪,如Ge(Li)谱仪测量由中子活化产生的放射性核素所发射的各种能量的γ射线来定量地测定样品中各元素的含量。其优点是灵敏、简单、快速,并可同时测量多种元素。但是,它也还存在着若干问题,它们影响分析结果的准确性。     

20MeV电子韧致辐射谱的阈探测法测定

对２ＯＭｅＶ能量的电子在Ａｕ靶中产生的韧致辐射谱用阈探测法进行了测量。测量数据经过计算机处理得到的结果与理论计算相一致。     

正电子和反氢

从正电子出发,综述了近三年多来人们在物质和反氢方面的研究进展。     

纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金中缺陷及内应力的分布研究

用丰电子湮没技术和微观磁学方法研究了纳米晶Ｆｅ７３．５Ｃｕ１ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９合金结构缺陷在退火过程中的变化规律，表明晶化初期形成的界面结构只引入少量的缺陷，晶化后期由于出现大量晶界，缺陷浓度急剧上升；非晶制备过程中以及晶化时引入的准位错偶极子造成的应力场对其软磁性能有很大的影响，并可以解释在最佳退火温度的磁性行为。     

纳米晶Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9合金中缺陷及内应力的分布研究

用正电子湮没技术和微观磁学方法研究了纳米晶Ｆｅ_（７３．５）Ｃｕ_（１）Ｎｂ_（３）Ｓｉ_（１３．３）Ｂ_９合金结构缺陷在退火过程中的变化规律，表明晶化初期形成的界面结构只引入少量的缺陷，晶化后期由于出现大量晶界，缺陷浓度急剧上升；非晶制备过程中以及晶化时引入的准位错偶极子造成的应力场对其软磁性能有很大的影响，并可以解释在最佳退火温度的磁性行为。     

非晶态FeCuNbSiB系合金结构缺陷的正电子湮没研究

通过测量不同温度下退火的非晶合金Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９和Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ１．５Ｓｉ１３．５Ｂ９的正电子湮没有寿命谱，配合Ｘ射线衍射分析，研究了非晶合金结构缺陷随退火温度的变化。结果表明，非晶合金中存在两种类型的自由体积。正电子湮没有寿命随样品退火温度的变化曲线对应着结构弛豫，局域晶化和完全晶化阶段。     

~(158)Gd与~(152)Gd堆(慢)中子俘获截面之比值

用~(159)Gd(i)与~(153)Gd(j)的生成率(B_i~o与B_j~o)和~(158)Gd与~(152)Gd的热中子俘获截面文献值(σ_i与σ_j)分别计算得到的照射处的表观中子通量(I_i与I_j)之间的比值R_(ij)称中子活化R矩阵元。~(175)Yb(k)与~(169)Yb(l)的生成率之比值R_(kl)称中子活化R矩阵元。R_(ij)的五个结果的平均值为1.66±0.05。R_(kl)之平均值为10.8,可以认为照射处的中子能谱接近于热中子能谱。     

Oxygen defects in Fe-substituted Tl-system superconductors

For Fe-doped T1-1223 phase,the excess oxygen defects induced by Fe dopants are studied by means of Hall coefficient,thermogravimetric measurements,Mossbauer spectroscopy,and the model calculation of the effective bond valence.The extra oxygen defects have effects on carrier density and microstructure of the superconductors.In the light doping level of Fe (x=0-0.05),the superconducting transition and carrier density have significant corresponding relation--the zero resistance temperature Tco and carrier densities decrease linearly with Fe dopants increasing.The thermogravimetric measurements show that the Fe3+ ions' substituting for Cu2+ ions can bring the extra oxygen into the lattice to form extra oxygen defects.The calculation of the effective bond valence shows that the decrease of carrier density originates the strongly localized binding of the extra oxygen defects.The distortion of Cu-O layer induced by the extra oxygen defects decreases the superconductive transition temperature.The microstructure