仿真应用问题中通用框架的技术研究

基于仿真的类似应用问题,具有很大的相似性,在构建新的应用系统时可以把相同的东西,如方法、模型、框架、数据提取出来共享,其它不同的地方根据需要做出相应的改造,可以达到快速开发、迅速升级的目的。基于这种共享的思想,提出一种基于仿真的通用框架规范SBX,给出仿真应用通用软件的四层结构体系,并介绍有关软件设计的4项主要内容及其6种关键技术。基于SBX仿真通用框架规范,不断完善相应的应用理论,能快捷和方便地实现系统的更新换代,使各类仿真应用系统发挥更大的作用。     

绝缘封装用环氧树脂固化物的湿热老化特性

环氧树脂容易受到湿热环境的侵蚀而发生绝缘性能劣化,进而直接影响电力系统运行的安全性与稳定性.为明确环氧树脂材料在湿热环境下的介电性能变化趋势,该研究对环氧树脂固化试样进行湿热老化实验,探究老化温度对其介电性能的影响规律,并对湿热老化机理进行分析.实验结果表明:环氧树脂试样在湿热老化后因吸湿出现质量增加,水分子对环氧树脂基体的塑化作用使其玻璃化转变温度降低.湿热老化后环氧树脂的体积电阻率下降,而相对介电常数和介质损耗因数增大,低频区尤为明显.用瓦格纳热击穿理论解释了环氧树脂试样击穿现象,相对介电常数和介质损耗因数增大都会导致环氧树脂的工频交流击穿强度下降.湿热老化温度升高加速了环氧树脂的吸湿进程,使其平衡状态的吸湿量增大,造成介电性能进一步下降.     

脉冲电流电磁场对生物膜的非热效应分析

通过简单的生物体细胞模型,研究脉冲电磁场对生物体所产生的生物效应的机制问题。证明了高电压脉冲电流放电环境中,低强度的脉冲电磁场可引起膜内外离子的输运过程,而当脉冲电磁场足够强时,则引起细胞膜的击穿。因此高电压脉冲电流放电环境中脉冲电流电磁场分量以及电磁防护的研究是非常有必要的。     

自动调节的交流高压电源

运用脉宽调制器 TL494、计算机及采集卡实现了交流高压的自动调节 ,该高压源可测试氧化锌电阻片和压敏电阻片给定电流下的交流 U1m A、U10 0μA、U10μA等参数 ,以及给定交流高压下的全电流 Io、阻性电流 Ir,可用于自动化生产线的大批量交流参数测试 ,大大提高了测试的效率与精度     

虚拟多通道氧化锌电阻片老化试验系统

采用数字I/O接口、采集卡和计算机组成了多通道氧化锌电阻片老化试验虚拟测试系统。该系统具有方便操作的人机界面,可设定电阻片的编号、数据采样的间隔,通过可视化的VB编程软件,实现全电流、阻性电流、容性电流和功耗的计算,并在线显示测试数据、全电流和阻性电流波形和功耗的动态曲线。全电流、阻性电流及功耗的测试精度均在1.5%以内。     

冲击电流测试系统中测量误差的试验研究

从影响冲击电流系统测量精度的因素出发,试验研究了系统接地点、转换装置的连接方式及系统自身的电磁干扰等对测量精度的影响。试验证明:采用单点接地、悬浮测量、减小高压引线与转换装置构成的闭合回路包围面积及电磁屏蔽、电源隔离、浪涌吸收等抗干扰措施可提高系统运行的可靠性及冲击信号测量的精度。     

沿面闪络触发真空开关初始等离子体特性实验

提出了一种RC阻容式电荷收集器,并对触发真空开关触发初始等离子体特征进行了实验研究。实验结果表明,在触发真空开关初始等离子体的起始阶段有一个尖峰脉冲,而且初始等离子体电流波形呈振荡衰减的过程。初始等离子体电流波形的第一个振荡峰的极性取决于触发脉冲的极性。触发初始等离子体的电子电荷略大于离子电荷;触发初始等离子体的电荷随触发电压、触发电流、触发电荷的增加呈线性增加;触发初始等离子体在TVS真空间隙中的扩散时间受触发电压、触发电流、触发电荷以及TVS真空间隙距离的影响,在触发电压小于8kV时,初始等离子体的扩散时间随触发电压的增加呈线性减小,而后基本稳定在66～69ns;初始等离子体的扩散时间随TVS真空间隙距离的增加而增加,当真空间隙距离从0.5mm增加至8mm,初始等离子体的扩散时间从50ns增大至70ns。     

多通道氧化锌电阻片老化试验系统

采用数字I/O接口、采集卡和计算机组成多通道氧化锌电阻片(metal oxygenvaristor,MOV)老化试验测试系统。该系统具有方便操作的人机界面,可设定电阻片的编号、数据采样的间隔,通过可视化的VB编程软件,实现全电流、阻性电流、容性电流和功耗的计算,并在线显示测试数据、全电流和阻性电流波形及功耗的动态曲线。     

低气压放电开关沿面闪络触发器的性能研究

脉冲功率技术和脉冲电流试验技术对放电开关提出了越来越高的要求,如较长的使用寿命、宽的工作范围、较小的触发时延及抖动等。为了满足这些需求,设计了伪火花开关的氧化锌半导体和高介钛酸钡陶瓷介质沿面闪络的触发装置,通过对表面放电触发器的实验发现:高介钛酸钡陶瓷沿面闪络触发器显示出强而快的电荷释放能力,在伪火花开关工作的气压范围内,触发器能够在20～30ns内释放20～30μC的电荷量,释放的电子数达到1.25×1014～1.875×1014,触发电流的上升陡度可达120～320GA/s。上述两种介质材料制作的PSS,气压7Pa时,自击穿电压28kV,最小工作电压分别为360、130V,放电延时分别为380～106ns和80～35ns,时延抖动分别为85～23ns和22～6ns。研究结果表明:高介钛酸钡陶瓷沿面闪络触发器显示出比氧化锌半导体强而快的电荷释放能力,由其制作的伪火花开关具有极低的放电时延和时延抖动。