Ca12Al14O33∶Eu2＋,Nd3＋长余辉发光粉的合成及其发光性能

采用燃烧法合成出Ca12Al14O33∶Eu2＋,Nd3＋靛蓝色长余辉发光粉.利用XRD和FE-SEM对产物的物相结构和形貌进行了表征,用激发光谱、发射光谱和余辉衰减曲线对样品的发光性能进行了分析.通过正交试验设计,以余辉时间为指标,研究了Eu2＋的掺杂量、Nd3＋的掺杂量、H3B03的用量以及尿素的用量对制备条件的影响.研究结果表明：最优化方案制备的Ca12Al14O33∶Eu2＋,Nd3＋长余辉发光粉的发射光谱呈宽发射谱带,波长范围为390～530 nm,发光峰值位于443 nm,余辉时间长达3240 s.     

共沉淀法制备LaPO_4:Ce,Tb纳米棒及其发光性能

采用共沉淀法合成了LaPO4:Ce,Tb纳米棒,利用XRD和SEM分别测试了样品的物相结构及形貌,用荧光光谱仪测试了样品的激发光谱和发射光谱,研究了不同Ce3+含量对LaPO4:Cex,Tb0.06纳米棒发光性能的影响。结果表明:LaPO4:Ce,Tb样品为独居石结构,属于单斜相;样品呈棒状,其长度为100~1 000nm,宽度为11~82nm;LaPO4:Ce,Tb纳米棒的最强发射波长为544nm。     

Ca_(12)Al_(14)O_(33):Eu~(2+)和Ca_(12)Al_(14)O_(33):Eu~(2+),Re~(3+)(Re=Dy,La,Nd)长余辉发光粉的燃烧合成及其发光性能

采用燃烧法制备出Ca12Al14O33:Eu2+和Ca12Al14O33:Eu2+,Re3+(Re=Dy,La,Nd)靛蓝光长余辉发光粉。分别利用XRD和FE-SEM对产物的物相结构和形貌进行了表征,用光致发光测试(PL)和余辉衰减曲线对样品的发光性能进行了分析。结果表明上述长余辉发光粉的晶体结构属于体心立方相七铝酸十二钙;所制备的Ca12Al14O33:Eu2+、Ca12Al14O33:Eu2+,Dy3+、Ca12Al14O33:Eu2+,La3+和Ca12Al14O33:Eu2+,Nd3+长余辉发光粉的发射光谱均呈宽发射谱带,波长范围为390~530nm,发光峰值也均位于443nm;产物在紫外线或紫色光激发后发射靛蓝光;余辉时间分别为238,184,168和9 120s。     

有机溶剂析盐法生产试剂氯化钾

进行了用丙酮结晶析出工业氯化钾饱和水溶液中的氯化钾的研究。丙酮能有效地从饱和溶液中分离出氯化钾 ,据此开发出一种生产试剂氯化钾的新工艺 ,该工艺与传统工艺相比 ,具有流程简单 ,操作条件宽松 ,能耗低等优点     

6H-SiC单晶的生长与缺陷

采用升华法,在一定的温度、气体压力和流量的条件下,生长了尺寸ф50．8mm的6H—SiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察,发现了SiC晶体内的典型缺陷,如：负晶、微管、碳颗粒等,并对它们的形成机理进行了讨论。     

微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化

采用升华法生长调制掺氮的6H-SiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长阶段近似平坦的形状。发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高。透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6H-SiC晶体的[0001]方向偏离角度较大时,微管变得不稳定而离解消失;微管也可终止于六边形空洞或硅滴处。氮元素掺杂可使6H-SiC晶体的晶格发生畸变,可导致产生新微管。     

棒状SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)长余辉发光粉的制备及性能

以尿素和硝酸盐溶液为反应物,采用空气气氛,在600℃合成了棒状SrAl2O4:Eu2+,Dy3+绿光长余辉发光粉。研究了产物的物相组成、形貌、激发光谱、发射光谱以及余辉衰减曲线。结果表明:产物的晶体结构属于单斜晶系,呈规则的棒状;样品在紫外线照射后发射绿光,发光峰值位于512 nm处,余辉时间可达6 h。并深入研究了尿素和高温煅烧对其发光性能的影响。     

硅酸镓镧晶体研究进展

综述了硅酸镓镧晶体近20年来的研究概况。介绍了这种晶体的结构、生长和性质，讨论和总结了研究进展及趋势。指出采用替代或双掺的方法取代该晶体中的镓及提高晶体生长质量及重复性，降低成本是该晶体实用化的关键。并提出重视在旋光效应存在条件下电光效应的利用。     

升华法生长大直径的SiC单晶

采用高纯Si粉和C粉在适宜的温度和压力下合成了多晶SiC粉末,在此基础上采用升华法在低压高温下条件下生长了大直径6H-SiC单晶,并根据热力学理论分析了SiC的分解.结果表明,在2 300℃附近的生长温度下,Si,Si2C,SiC2是Si-C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因而是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长.另外,采用光学显微镜观察SiC单晶中的生长缺陷,分析了缺陷成因,提出了碳的包裹体是微管缺陷的重要来源,而调制掺氮可以抑制部分微管在[0001]方向上的延伸,并在此分析基础上调整生长参数,生长出了高质量的6H-SiC单晶.     

几种电解质在有机溶剂水混合溶剂中的溶解度

实验测定了KNO3 ,KCl,NaCl,K2 SO4 在甲醇、乙醇、丙酮、二乙胺分别与水形成的混合溶剂中的溶解度。用热力学模型推算了这些体系中电解质的溶解度 ,并用实验数据关联出模型中的参数 ,推算结果与实验相符。