无氰脉冲电镀金工艺及其在空腔靶中的应用

提出采用脉冲电镀在无氰亚硫酸盐体系中制备镀金层并应用在空腔靶上。讨论了电流密度、pH、温度及脉冲占空比对电镀过程及镀层性能的影响。结果发现,当占空比在1∶(9~18)时,镀层最细致、光滑,粗糙度在30 nm左右。采用原子力显微镜观测了该工艺处理后的空腔的形貌。由此工艺获得的金腔结构稳定,均匀致密,精度良好且外观光亮。     

小角X光散射法测定疏水二氧化硅气凝胶疏水层厚度

采用小角X光散射(SAXS)研究了疏水SiO2气凝胶X光散射特性.运用Porod方法、Shull-Roess平均粒径法研究了气凝胶疏水层厚度.计算结果表明气凝胶疏水层厚度在0.2～0.3mm之间,说明气凝胶的疏水层仅仅是由一层改性剂分子所组成,其凝胶骨架颗粒表面被疏水的甲基基团所覆盖.     

整体式空腔Cu靶的化学镀制备工艺

对整体式空腔 Cu 靶的化学镀制备工艺和靶表面抗腐蚀处理进行了研究。选用有机玻璃(PMMA)作芯铀,对芯轴表面活化处理,在芯轴表面化学镀 Cu,再用苯骈三氮唑(C6H5N3)溶液钝化处理Cu靶表面,溶蚀芯轴,最终获得整体式空腔 Cu靶。该法工艺简单,制备费用较低,对惯性约束聚变研究所需其它金属或合金空腔靶的制备具有较高的参考价值。     

化学镀方法制备铜空腔工艺

激光试验装置中的整体式铜腔靶精度要求高,现有机加工方法不能满足要求.为此,在预处理芯轴(聚甲基丙烯酸甲酯)表面采用化学镀法制备铜空腔,研究了镀液中甲醛含量、pH值、温度等对镀速和镀液稳定性的影响.确定了适宜的化学镀铜工艺为:10 g/L 硫酸铜,10～20 mL/L 甲醛,40 g/L 酒石酸钾钠,20 g/L 乙二胺四乙酸二钠,0.1 g/L 稳定剂(2,2-联吡啶),pH值12.0～13.0,温度40～70 ℃.制备的铜空腔壁厚达25 μm,表面无砂眼、裂纹等缺陷,刻蚀芯轴后空腔能自持.     

镍钨合金镀层结构的研究

采用硫酸镍、钨酸钠和柠檬酸三钠为基本组分的镀液,通过电镀的方法在紫铜试片上沉积得到了镍钨合金镀层.讨论了电解液的组成、阴极电流密度、温度及pH值对镀层组成和结构的影响.根据X射线衍射试验结果,研究了镀层结构的形成过程.结果表明,该Ni-W镀层是以Ni为溶剂原子、W为溶质原子的置换型固溶体结构,随着镀层中W含量的增加,晶粒尺寸明显下降,晶粒逐渐细化.     

快点火靶金锥制备工艺

锥壳靶是惯性约束聚变快点火实验研究中的一种重要靶型。本工作采用精密车床加工与电镀技术制备锥壳靶用不同角度的金锥。主要介绍金锥电镀金层的制备工艺,讨论了电镀液配方、pH值、镀前处理、尖端效应等对金锥金层质量的影响。     

电镀非晶态镍钨合金工艺研究

研究了电镀非晶态镍钨合金工艺,采用EDS、XRD等手段检测了镍钨合金镀层,并将工艺条件如电流密度Jc、镀液pH值、镀液温度等对镀层的影响进行了比较,得出非晶态镍钨合金电镀的最佳工艺:[W]/([W] [Ni])为0.6～0.8,Jc=6.0～12.0 A/dm2,温度55～65℃,pH=6.5～7.5.结果表明,W含量质量分数高于44%的镍钨合金镀层结构为非晶态;且在此工艺下易得到钨含量在44%以上的非晶态钨合金镀层.     

三元Fe—Co—Si合金中金属间化合物的生长特性研究

通过DSC热分析确定了三元Fe-32.29%Co-20.33%Si合金的固相面和液相面温度分别为1 148 K和1 535 K.采用熔融玻璃净化技术实现了该舍金的深过冷与快速凝固,最大过冷度达378 K(0.25TL).当过冷度为98～378 K时,合金凝固组织由α(Co,Fe)2Si和(Fe,Co)5Si3相组成.分析确定该合金熔体开始凝固时,首先析出亚稳的过饱和β(Co,Fe)2Si固溶体,随后发生脱溶转变析出第2相(Fe,Co)5Si3,亚稳的p(co,Fe)2Si转变为稳定的α(CO,Fe)2Si.研究发现,随着过冷度的增大,β(Co,Fe)2Si枝晶生长速度呈指数增长趋势.     

直流电沉积制备纳米铜丝阵列

研究采用模板法直流电沉积制备纳米铜丝阵列。基底选用阳极三氧化二铝硬模板,膜底磁控溅射1层薄铜层（1μm以下）做导电底衬,再利用直流电沉积法制备出纳米铜丝阵列。由此工艺所制备的纳米铜丝长度可达50μm左右、直径约为250nm,丝阵含铜量高。讨论了阴极电流密度、阴极电位、模板类型、模板孔径等因素对纳米铜丝生长的影响,为惯性约束聚变（ICF）实验除金腔靶外的其它金属靶的研究提供了一种新方法。     

直接驱动快点火Au-CD锥壳靶的研制

介绍了近年在直接驱动快点火锥壳靶研制方面取得的进展。采用带止口金锥的设计提高金锥与微球的装配精度,讨论了芯轴电镀工艺中尖端效应的影响。采用飞秒激光加工实现聚合物微球打孔,讨论了激光扫描方式对打孔质量的影响。