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掺钕钆镓石榴石(Nd:GGG)晶体是固体热客激光器的首选工作物质。本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体。通过设计合理而稳定的温场、选择最佳工艺参数等方法,生长了优质Nd:GGG晶体。切割后经过端面抛光,测试了荧光光谱和吸收光谱。荧光光谱测试结果表明晶体的最强的荧光发射峰位于1062nm,是Nd^3+4F3/2-4I11/2谱项导致的荧光发射。吸收光谱测试结果发现Nd:GGG晶体的最强吸收峰位于808nm,所以该晶体适合于LD泵浦,并且吸收峰强度随掺杂离子农度的增加而增加。有利于提高泵浦效率。 相似文献
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按3:5的化学计量比进行配料及合成,得到了YAG相的高纯原料;采用Cz法生长了掺杂浓度为5%的Yb:YAG晶体,对晶体的生长工艺进行了研究,如温场结构对晶体生长的影响;并分析了Yb:YAG 晶体开裂的影响因素. 相似文献
3.
报道了在Fe70Ni30合金触媒和石墨系体中,掺杂六角立方氮化硼(h-BN)和硼(B)生长金刚石单晶的过程。研究发现,h-BN和B掺杂对于金刚石生长条件及形貌等具有较大的影响,其中h-BN掺杂生长金刚石的最低生长压力达到了6.2 GPa,同时晶体呈绿色条状。说明h-BN和B在金刚石晶体生长以及取代碳原子进入晶格时起到了不同的作用。通过X射线衍射及光电子能谱等表征手段,分析了硼氮对金刚石晶体结构的影响,以及硼氮在金刚石中的化学环境及成键方式。在此基础上阐述了硼氮掺杂的形成机制。 相似文献
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采用二次固相反应法制备Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷,研究了掺杂钴、钇离子对钛酸锶钡介电性能的影响。结果表明,陶瓷样品Y3+、Co3+的最佳掺杂浓度分别为0.04mol%和0.05mol%,最佳烧结温度为1340℃,样品的相对介电常数为4200,介电损耗(tanδ)为0.005。样品的结构为四方晶系,P4mm空间群。获得了高介电常数、低损耗的Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷。 相似文献
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Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究 总被引:7,自引:2,他引:5
通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd:GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061.54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。 相似文献
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稀土掺杂钨酸钆钾激光晶体生长 总被引:2,自引:1,他引:1
以K_2W_2O_7为助溶剂,在钨酸钆钾[KGd(WO_4)_2,KGW]晶体中分别掺入稀土元素离子Nd~(3+),Yb~(3+),Er~(3+)和Er~(3+)+Yb~(3+),用顶部籽晶提拉法分别生长出Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种激光晶体。获得最佳的生长工艺参数是:转速为10~15r/min,拉速为1~2mm/d,降温速率为0.05~0.1℃/h,生长周期为10~15d。经X射线分析确定4种晶体均为β相。利用热重差热分析确定了晶体的熔点和相转变温度,结果表明:Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种晶体的熔点分别为1085,1086,1080℃和1079℃;相转变温度分别为1023,1021,1021℃和1024℃。分析了晶体产生缺陷的原因。 相似文献
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15-50μm宽波段远红外窗口材料的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
采用塑料作为15-50μm波段的高温超导红外探测器窗口材料.SEM分析结果表明材料的断裂属于韧性断裂,即其耐机械冲击能力强,适合于作窗口材料.研究过程中还发现,成型压力对材料的透过率没有影响,我们选定厚度为2mm的样品做窗口材料,其15-50μm波段透过率大于50%.断裂强度测试分析表明样品在115℃下可安全使用. 相似文献
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9.
本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,对晶体组分过冷产生机理进行了研究.扫描电镜及其能谱分析结果表明组分过冷在晶体中产生了空洞,不同部位空洞中的成分分别为Gd4Ga2O9、Gd3GaO6和GdGaO3,观察了因组分过冷产生的位错,并讨论了克服组分过冷的措施. 相似文献
10.
以一种V型3,5-二(4-羧基苯基)-4-苯基-1,2,4-三唑(H2PhTz)为有机配体通过溶剂热法合成出一种金属-有机框架化合物[Nd(PhTz)3/2(H2O)2]n(MOF_Nd),其中,PhTz是3,5-二(4-羧基苯基)-4-苯基-1,2,4-三唑的二价阴离子。利用单晶X-射线衍射、粉未X-射线衍射及红外吸收光谱等分析手段表征了MOF_Nd的分子结构与纯度。X-射线单晶衍射分析表明含有1维孔道结构的MOF_Nd单晶属于的三斜晶系的P1空间群。MOF_Nd的固体粉末在紫外光的激发下,能发出位于385nm的半峰宽为48nm的荧光峰,该荧光发射被归为配体的π*→π电子跃迁。 相似文献