以Pt为催化剂生长SiC微纳米材料

利用热蒸发法以Pt为催化剂制备了SiC微纳米材料,并利用XRD、SEM、Raman、PL光谱等技术手段分析表征样品。发现SiC纳米材料的生长温度约为1 145℃,制备的SiC样品呈纳米线/微米花状混合结构,纳米线表面光滑,其直径范围约在15～25nm,纳米花的花冠直径约为1μm,纳米花的花茎直径约在0.3～0.5μm范围。经分析SiC微纳米材料的生长可能遵循VLS (气-液-固)生长机制。此外,光致发光结果表明,SiC微纳米材料的发光存在轻微红移。     

基于数字信号处理器的USB接口设计

通用串行总线(USB)是目前最常用的一种计算机总线。本文在充分地分析了所选用的硬件的主要特征后，给出了数字信号处理器与USB接口技术相结合的设计方案，并给出了相应的接口框图和关键代码，然后对接口的性能进行了分析，最后给出了结论。