银系TiO_2光催化无机抗菌材料的制备及抗菌性能测试

为探讨银离子缓释的载体制备及载银抗菌剂的抑菌功能,采用浸渍提拉法制备银系无机抗菌材料,通过银离子的抗菌机理,调试银离子浓度对抗菌性能的影响.实验证明将TiO2与银、铜等离子复合发挥相互补充的抗菌作用,具有明显的抑菌功能.     

Nb元素对Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3薄膜结构与性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3薄膜（Nb=0-4．12mol％）,采用HPAgilent 429A阻抗分析仪等测试方法研究了微量元素铌对Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3（BSNT）薄膜介电性能的影响。当Nb分别为0-4．12m01％时,相对介电常数占,降低而介质损耗tanδ均得到了改善,当测试频率为1kHz,tanδ由0．09降低到0．067;居里温度Tm逐渐移向低温;在测试频率2．0-10MHz范围内,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性。采用XRD、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征。薄膜为四方钙钛矿晶体结构,但Nb的溶入改变了晶胞参数的c／a比,减小了薄膜的晶粒尺寸,提高了薄膜的致密度。     

溶胶-凝胶法制备TiO2粉体及掺杂锰对光催化性影响

提出了以钛酸四丁酯为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备TiO2粉体。以MnSO4·H2O为锰源,制备锰掺杂的Mn—TiO2光催化剂,在600℃、焙烧2h条件下制备了不同浓度掺杂锰的TiO2纳米粉体。通过x射线粉末衍射仪（XRD）、粒度分析仪和分光光度计等表征方法系统分析二氧化钛的结构,并在此基础上深入探讨了二氧化钛的晶体结构、比表面积及掺杂等因素对其光催化活性的影响。     

磁铅石型BaFe_(12)O_(19)的制备及性能研究进展

磁铅石型BaFe12O19具有高的居里温度、高的微波磁损、磁化强度大、化学稳定性好,作为一种永磁材料广泛应用于磁记录材料、微波器件、微机电系统(MEMS)等许多领域。本文综述了BaFe12O19的基本制备方法及主要的性能研究,并指出了磁铅石型BaFe12O19制备领域的发展方向。     

溶胶一凝胶法制备钒酸铋及其光催化性能研究

采用溶胶一凝胶法制备钒酸铋颗粒光催化剂,研究银掺杂、煅烧温度、煅烧时间对BiVO4晶型组成和催化活性的影响,用X射线衍射（XRD）、透射电镜进行表征,研究了BiVO4粉体在焙烧过程中的相转变,确定了煅烧温度、煅烧时间及掺杂比例;以甲基橙（MO）的可见光催化降解反应为探针,研究了催化剂的可见光催化性能,研究发现,当煅烧时间为4h,煅烧温度为500℃时,BiV04对甲基橙光催化效率可达约20％。银掺杂的BiVO4对基橙光催化效率可达约40％。     

铌酸锶钡/钛酸锶钡复相陶瓷制备新工艺研究

本文以钛酸四丁酯等配制溶胶前驱体溶液,通过控制前驱体溶液中各组分的配比成功制备了粘稠的溶胶溶液,以悬浮传统固相烧结工艺制备的微米级铌酸锶钡陶瓷粉体,在超声分散等的作用下形成均匀凝胶,最后成功制备出复相陶瓷坯体。采用X射线及扫描电镜对其进行表征,同时对其制备工艺及烧结制度进行了分析。结果表明:此工艺具有工艺简单,成本低,两相固溶均匀,且在一定程度上能够抑制在烧结过程中晶粒异常长大等优点,为科研工作者提供了一条新的工艺路线。     

(Ba,Sr)TiO3铁电薄膜制备技术及其研究进展

(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一.通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述,就BST的微观结构、性能及应用,深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题.     

溶胶-凝胶法制备TiO_2粉体及掺杂锰对光催化性影响

提出了以钛酸四丁酯为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备TiO2粉体。以MnSO4.H2O为锰源,制备锰掺杂的Mn-TiO2光催化剂,在600℃、焙烧2h条件下制备了不同浓度掺杂锰的TiO2纳米粉体。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、粒度分析仪和分光光度计等表征方法系统分析二氧化钛的结构,并在此基础上深入探讨了二氧化钛的晶体结构、比表面积及掺杂等因素对其光催化活性的影响。     

螯合剂对钛酸锶钡薄膜结构与性能的影响

采用阻抗分析、差热分析,X射线衍射、透射电镜等方法研究了．螯合剂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜结构与性能的影响。当乙酰丙酮作为螯合剂时,它与Ti(COC4H9)4螫合形成网络骨架结构,Ba^2 ,Sr^2 均匀地分布在此网络中,热分解时金属离子能够均匀地分布,使钙钛矿的形成温度降低了约60℃。薄膜表面颗粒分布均匀,孔洞少,比较致密。晶粒的平均粒径均为80nm,晶格条纹间距约N0．296nm,晶界两侧的晶粒取向是随机的;畴的宽度约为1～2nm。薄膜具有较高的相对介电常数和较小的介质损耗。     

铌酸锶钡/钛酸锶钡介电常数预测模型研究

首次应用粉末-溶胶工艺合成出铌酸锶钡/钛酸锶钡复相陶瓷(SBN/SBT)。以Clausius(克劳修斯)-Mosotti(莫索缔)方程为基础,采用混合对数法则,通过实验得到的复合材料的晶格参数和铌酸锶钡、钛酸锶钡的理论极化率,建立了描述铌酸锶钡/钛酸锶钡复相陶瓷的介电常数预测模型,通过数学模型得到的预测数值与实验数值吻合。