五氟化磷的合成工艺进展

<正>1五氟化磷的性质及应用五氟化磷分子式为PF5,CAS登记号为7647-19-0,相对分子质量126.0。PF5在常温常压下为无色、具有刺激性恶臭气味的气体,其主要物化性质如下[1]:熔点-93.8℃,沸点-84.6℃,相对密度5.527,临界温度144.5℃,临界压力3.39MPa,标准生成热-1210kJ/mol,熔化热12.1kJ/mol,气化热17.2kJ/mol。PF5遇水和碱立即水解,在潮湿的空气中剧烈发烟,干燥状态下不腐蚀玻璃,与胺、乙醚、硝酸盐、亚砜等可形成配合物。     

歧化法制备单硅烷的工艺进展

单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、氯硅烷或烷氧基硅烷歧化法、氯硅烷还原法等,重点介绍了用歧化法制备SiH4的工艺,原料可用芳基硅烷、烷氧基硅烷以及氯硅烷等。     

电化学法制备单硅烷工艺概述

单硅烷（SiH4）作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,因其高纯度和能够实现精细控制而成为至今为止世界唯一大规模生产粒状高纯硅的中间产物。介绍了SiH4的物化性质及毒性。SiH4的工业合成方法包括硅化镁法、氯硅烷或烷氧基硅烷歧化法、氯硅烷还原法等,但它们存在工艺流程复杂、设备成本高、需要对产物进行复杂的精制等问题。详细介绍了几种国外公司开发的电化学合成SiH4的装置及工艺,该类方法具有操作安全和经济、可实现高度一体化、可现场发生、以及产物精制工艺简单等优点。     

两种工业合成单硅烷的工艺介绍

单硅烷(SiH4)作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物,详细介绍了硅化镁法和还原法制备SiH4的工艺。硅化镁法的优点是工艺简单、成熟,原料易得;其缺点是分离和回收液氨时能耗大,SiH4收率相对较低。还原法的优点是可实现连续化生产、反应易于控制。     

提高洗苯效率的有效途径

介绍了焦化厂焦油洗油吸收煤气中苯的工艺流程,分析了造成粗苯产量低的主要原因是循环洗油270℃前馏程偏低。在统计分析的基础上找出造成循环洗油270℃前馏程偏低的主要因素,认为控制洗油270℃前馏程≥70%,是提高粗苯收率的有效途径。     

碲化铋表面化学镀镍工艺

采用化学镀镍的方法在半导体Bi2Te3表面实现金属化.镀液配方为:NiSO4·6H2O 25 ～ 30 g/L,NaH2PO2·H2O 20 ～ 30 g/L,CH3COONa 5 g/L,C6H5Na3O7·2H2O 5 g/L.讨论了工艺参数对镀层性能的影响,通过骤冷试验检测镍镀层与半导体之间的结合力,运用扫描电镜...     

AZ31镁合金表面处理工艺对其改性结果的影响对比

针对AZ31镁合金应用过程中对表面摩擦磨损性能、耐腐蚀性能有特殊要求的状况,分析了AZ31镁合金可能的表面改性技术,比较了不同改性方法的具体实现途径,并提出了加强复合改性技术研究的重要意义。