高纯金属硅吹气造渣除硼工艺研究

高纯多晶硅是太阳能光伏产业的主要原材料,现阶段生产高纯多晶硅的主流技术为西门子法,但是该方法生产成本居高不下,因此探索低成本高纯多晶硅生产技术成为国内外的研究热点之一.目前低成本多晶硅生产技术主要是物理法,包括冶金法和重掺硅废料提纯法两种.冶金法生产太阳能级多晶硅的技术关键在于除硼.选择吹气造渣除硼工艺进行探索性试验研究,利用反应气体和熔渣、硅液中的硼发生氧化反应,从而达到除硼的目的,探索冶金法制备高纯多晶硅的新途径.     

离心机用于食品级磷酸生产工艺探索

昆明宝益磷化工有限公司对原3 kt/a食品级磷酸装置采用离心机替代过滤盘对生产工艺进行了技术改造,并对后续系统进行了调整,总结出一套相应的操作控制参数,不仅解决了装置产能不足的问题,而且将产能提升到10 kt/a,产品中w(As)可控制在0.5×10-6以下,完全满足生产和经营的需要。     

黄磷中有机杂质的脱出及影响因素

以国内某企业P2S5生产装置配套黄磷净化系统为例,介绍了活性炭吸附法脱出黄磷中有机杂质的生产工艺,分析了影响黄磷中有机杂质脱出的主要因素。     

冶金法制备多晶硅造渣除硼技术工艺研究

冶金法生产太阳能级多晶硅过程中最难去除的是B,通过定向凝固、电子束炉等真空熔炼手段很难去除。针对冶金硅造渣除B技术工艺进行了研究,重点考察造渣剂种类、造渣次数、渣金比、熔炼时间等因素的影响,获得的优化工艺为：选用CaCO3-SiO2渣系并添加5%CaF2,造渣次数2次,渣金比为1∶1,熔炼时间为60min。通过造渣除B工艺处理后,冶金硅中的B从3.2μg/g降低到了0.3μg/g以下,达到了太阳能级多晶硅B指标的要求。     

石煤提钒直接酸浸法工艺研究

重点研究了在硫酸氧化的条件下钒矿的直接浸出工艺,探讨了在氟化铵的作用下,破坏钒矿的硅酸盐晶格结构,钒矿颗粒及内部中V3+、V4+在酸性氧化环境中的不同浸出行为。考察了硫酸、氯酸钠、氟化铵、温度、粒度、氧化时间等因素对浸出率的影响以及浸出率的稳定性。结果表明:石煤钒矿的浸出的最佳条件是:硫酸30%,氯酸钠3%,氟化铵2.5%,粒度100-200目,液固比(L/S)为2∶1,浸出温度80℃,浸出时间8h,在该工艺条件下,V2O5浸出率稳定在92%以上。