温度对LaMnO3+δ薄膜材料功函数影响机制研究

通过磁控溅射的方法制备了LaMnO_3+δ薄膜材料。掠入射X射线衍射(GIXRD)测试结果表明，薄膜材料为单一相结构的多晶氧化物，结构为正交畸变钙钛矿LaMnO_3+δ;利用开尔文探针显微镜(KPFM)测得LaMnO_3+δ薄膜接触电势差(CPD)的高分辨率图像，并通过CPD结果计算得知，在30～80℃温度范围内，随着温度的升高材料的功函数由4.452 eV升至4.644 eV,这是由于材料内部高价阳离子Mn⁴⁺浓度增加所致。该结果在XPS测试中得到进一步验证，Mn⁴⁺/Mn³⁺含量随温度的升高而升高。采用自组装电阻-温度测试系统的测试结果表明，薄膜材料在30～80℃范围内具有一定的负温度系数热敏特性。