有机硅浆渣废料冶金法制备碳化硅

为了有效处理及回收有机硅浆渣废料,利用冶金法将其制备成碳化硅粉体,研究了不同温度(1 550,1 650,1 750,1 850℃)对碳化硅粉体冶炼效果的影响;在较优冶炼温度条件下,分析了不同冶炼时间对制备碳化硅粉体的影响.结果表明：不同的冶炼温度所制备的碳化硅晶型不同,最佳冶炼温度为1 750℃,此时产物中碳化硅的纯度(质量分数)为88.4%;最佳冶炼时间为45 min,且随着冶炼时间的变长,碳化硅的晶型会发生变化.本研究结果可为浆渣废料的有效处理及硅元素的高值回收提供参考.     

浅谈院校图书馆公共计算机的还原保护策略

本文通过对几种主流还原保护技术的探讨,从基础维护角度探索保障图书馆公共计算机环境发展的良好途径.     

高校图书馆远程访问中的版权保护对策

分析在高校图书馆开展远程服务过程中出现的数字版权保护问题,从管理和技术的角度比较全面地提出图书馆远程访问过程中版权保护的对策和建议。     

有机硅浆渣固废制备SiC的研究

先将有机硅浆渣固废高温热解，再将其与过量石油焦制成球团，通过碳热还原法制备了SiC粉体。研究了热解温度(1 000、1 200、1 400和1 500℃)对有机硅浆渣固废的影响，在此基础上，研究了热处理温度(1 550、1 650、1 750和1 850℃)和保温时间(15、30、45、60和75 min)对制备SiC的影响。结果表明：在热解温度达到1 500℃时，可以实现有机硅浆渣固废较大程度的热解，产物主要是SiC和方石英，说明该原料可以采用冶金法制备SiC。过量配碳冶炼时，最佳热处理温度为1 750℃,所得SiC的含量最高，继续升高温度会使SiC晶粒尺寸增大。在1 750℃增加保温时间有助于反应的进行，保温时间为60 min时，SiC的含量最高，继续增加保温时间时，颗粒状的SiC聚集长大形成块状SiC。