976 nm高效率半导体激光器

976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。     

808nm高效率激光二极管

目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料;并制作了200μm发光区标准单管,提取了材料内部参数,材料内损耗iα为0.67cm-1,内量子效率iη为0.88;将圆片解理成2mm腔长的巴条进行腔面镀膜,并烧结成标准单管,25℃下单管电光效率达到61.1%;将巴条烧结到微通道载体上,制作成标准微通道水冷单条阵列,水温15℃110A下输出光功率126.6W,电光转换效率62.77%。     

半导体侧泵模块激光晶体内吸收光场分析

建立了半导体侧面泵浦模块中激光晶体的吸收光场分布模型,利用Matlab软件计算了吸收光场的归一化分布形貌,提出了两个重要参数:阵列切向位移量与径向角度偏离度。结果表明:当阵列切向位移量为0~0.5 mm时,晶体相对吸收强度、光场均匀性等参数基本不变;当该数值大于0.5 mm时,吸收强度急剧下降、光场不均匀性急剧增加;相比而言,径向角度偏移对晶体吸收光场分布的影响较小,总体上呈现随着该数值的增加,吸收强度减小、光场不均匀性增加。以上研究结论为目前半导体侧泵模块的研制生产提供了理论指导。     

化学清洗中铁离子的分析监测和控制

分析化学清洗时黏泥剥离、清洗除垢、钝化预膜过程中铁离子的浓度,确定铁离子的控制浓度。结果表明,黏泥剥离过程中铁离子控制浓度为(50±5)mg/L,克服了以往盲目排水,减少了清洗时间和用水成本;清洗除垢过程中,清洗液中三价铁离子对金属铁、铜有影响,在清洗过程中清洗液中不能有三价铁离子产生,二价铁离子不能超过1 000 mg/L;钝化预膜过程中,铁离子浓度为(50±5)mg/L为钝化预膜点,此时进行钝化预膜,减少了盲目排水,节约了用水和钝化药剂。     

天然气压缩机的化学清洗

水冷型天然气压缩机是并联连接循环降温方式,长时间运行时容易结垢,以前多采用人工机械清洗或并联循环化学清洗,这两种方法的缺点是费时费力且清洗效果欠佳。本文介绍了一种分路串联循环与单路循环相结合的化学清洗方法,具有经济、快捷、高效等优点,为天然气压缩机的清洗提供了一种可靠可信的参考方法。     

化学清洗中清洗液浓度的分析监测和控制

针对化学清洗除垢过程中清洗液浓度的分析监测和控制问题,介绍了清洗液浓度的监测过程和控制方法,总结了对于不同清洗部位和材质的设备清洗时,清洗液的进口浓度和循环浓度的监测方法和控制指标,指明了清洗液浓度的监测和控制对化学清洗终点的判定、腐蚀率的大小、用药量的控制和清洗质量的重要性。     

In-Au复合焊料研究

大功率半导体激光器封装过程中,为降低封装引入的应力,踊般用In焊料进行焊接。In焊料具有易氧化、易"攀爬"的特性,因而导致封装成品率很低。提出了一种新型焊料——In-Au复合焊料,使用此焊料进行封装,很好地解决了上述问题。通过理论分析及实验摸索,确定了In-Au复合焊料蒸发条件,分别利用纯In焊料和In-Au复合焊料封装了一批激光器样品,通过对比这两组样品的焊料浸润性、电光参数、剪切强度等,发现利用In-Au复合焊料封装的样品优于纯In焊料封装的样品。     

蒸发式冷凝器的化学清洗和钝化

根据蒸发式冷凝器各组件结垢状况,采用喷淋清洗、水清洗和循环清洗相结合的化学清洗工艺,使清洗更高效、更快捷,达到了清洗的预期效果.化学清洗后,及时地钝化预膜处理,有效地防止了冷凝盘管发生二次腐蚀,保障了设备正常、安全运行.