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1.
煅烧工艺对纳米氧化镁粉体活性的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用柠檬酸法测定了均匀沉淀法制备出的纳米氧化镁粉体活性,并与普通氧化镁粉体活性进行了比较.探讨了煅烧温度和煅烧时间对纳米氧化镁粉体活性的影响.结果表明,煅烧温度和煅烧时间对纳米氧化镁粉体活性的影响很大,煅烧温度为450 ℃和煅烧时间为3 h得到的纳米氧化镁粉体活性较大.普通氧化镁粉体的活性要低于纳米氧化镁粉体的活性.  相似文献   
2.
氧化镁纳米棒的晶格畸变及反常红外特性   总被引:2,自引:1,他引:1  
以六水氯化镁和轻质氧化镁为原料,制备出碱式氯化镁纳米棒;再以碱式氯化镁纳米棒为前驱物,氢氧化钠为沉淀转化剂,合成出氢氧化镁纳米棒;采用煅烧前驱物氢氧化镁纳米棒分解得到氧化镁单晶纳米棒。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、区域电子衍射(SAED)和红外吸收光谱(FT-IR)等手段对所得产物的表征分析结果表明,氧化镁纳米棒的微结构中存在晶格畸变,表现为晶格膨胀,其红外吸收峰出现了红移和蓝移同时并存现象;随煅烧温度的升高,氧化镁纳米棒的平均晶粒尺寸增加,晶格常数减小,晶格畸变量减小。  相似文献   
3.
采用沉淀转化法制备出两种氢氧化镁纳米片;采用直接沉淀法合成出氢氧化镁微米颗粒。通过干燥动力学实验得到三种形貌氢氧化镁的干燥曲线和干燥速率曲线;测定出三种形貌氢氧化镁在12℃下的平衡水分吸附等温线。研究结果表明,三种形貌氢氧化镁滤饼的初始含水量,纳米片的高于微米颗粒;它们的干燥速率曲线形状相似,但氢氧化镁纳米片的恒速段干燥速率曲线略有下降趋势;在相同的空气相时湿度下,纳米片的平衡含水量高于微米颗粒。  相似文献   
4.
纳米氢氧化镁粉体的制备及热分解动力学研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
以氯化镁和尿素为原料,采用均匀沉淀法制备出厚度约为20 nm的片状纳米氢氧化镁粉体。利用热重分析法对片状纳米氢氧化镁粉体在不同升温速率下的热分解动力学进行研究,以期深入认识由纳米氢氧化镁粉体热分解得到纳米氧化镁粉体过程的物理化学本质。分别采用Coats-Redfern方程和Dolye方程,对热重分析数据进行了处理和拟合,得到了片状纳米氢氧化镁粉体热分解反应属于Avrami-Erofeev(n=1)的成核和生长为控制步骤的反应机理,其表观活化能E=131 kJ/mol,指前因子A=1.56×1010。  相似文献   
5.
通过对竖炉型烧结矿冷却及余热回收技术的研发,解决了其主要技术难题,基于干法熄焦技术原理,构建了竖炉型烧结矿冷却及余热回收工艺。研究表明,采用竖炉型烧结矿冷却及余热回收技术可有效提升热烧结矿余热资源的回收率与再转化效率,降低烧结生产的工序能耗。  相似文献   
6.
王宝和  景殿策  李群 《河南化工》2013,30(11):30-32
以六水氯化镁和轻质氧化镁为原料,制备出碱式氯化镁纳米棒;再以碱式氯化镁纳米棒为前驱物,采用沉淀转化法制备出前驱物氢氧化镁纳米棒;再通过前驱物热分解法得到直径150~250 nm,长6~10μm的氧化镁单晶纳米棒。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)对产物进行表征与分析,研究了煅烧条件对氧化镁纳米棒形貌的影响,得到了氧化镁纳米棒的最佳制备工艺条件为:煅烧温度400℃,煅烧时间1 h,升温速率3℃/min。  相似文献   
7.
以六水氯化镁和轻质氧化镁为原料,制备出碱式氯化镁纳米棒;再以碱式氯化镁纳米棒为前驱物,采用沉淀转化法,合成出直径约100—200nm,长约6~10μm的氢氧化镁纳米棒。利用热分析法对氢氧化镁纳米棒进行了等温热分解动力学研究,结果表明,氢氧化镁纳米棒在300℃和350℃时的热分解反应服从随机成核和随后生长机理、积分机理函数g(α)=[-ln(1-α)]^1/m,表观活化能E=153kJ/mol,指前因子A=5.83×10^12s^-1。  相似文献   
8.
氧化镁一维纳米结构作为一种高二次电子发射率的绝缘材料,在超导、催化、陶瓷和光电元件等领域具有广阔的应用前景,因而倍受学术界的关注.综述了近年来氧化镁一维纳米材料制备技术的研究进展及氧化镁一维纳米结构的形成机理,并对制备方法进行分类.  相似文献   
9.
以氯化镁和轻质氧化镁为原料,采用液相法制备出碱式氯化镁纳米棒;再以碱式氯化镁纳米棒为前驱物,经沉淀转化法合成出直径约100~150nm,长约3~5μm的氢氧化镁纳米棒。采用Romero方法,对非等温热重法得到的氢氧化镁纳米棒热分解动力学数据处理分析后,得出氢氧化镁纳米棒的热分解反应遵循随机成核和随后生长(F1)机理,表观活化能E=187kJ/mol,指前因子A=3.84×10^11。  相似文献   
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