SiCl4冷氢化反应器床层密度的计算

通过理论计算临界流化速度u_(mf)和床层空隙率ε_e,得到SiCl_4冷氢化流化床反应器在不同粒径d_p和表观气速u_e条件下的床层密度ρ。床层密度随着硅粉粒径增大而增大,随着表观气速增大而减小。通过实际测量一定高度床层间的压降得到实际床层密度,与理论计算值对比二者吻合性较好,冷氢化反应器的床层密度沿高度方向变化较小。     

浅析用于多晶硅沉积的硅芯

从表面反应的相界面积着手分析了硅芯直径对质量沉积速度的影响.通过加大硅芯的直径来提高多晶硅反应面积,可以显著提高多晶硅的质量沉积速度.同时通过分析硅芯直径对沉积时间、单根硅棒的沉积质量、年运行批次以及60对棒还原炉单炉年产量,认为在Ri=1.5kg·m-2h-1,最终硅棒直径为φ150mm时,采用φ100mm的硅芯可以...