文东油田抽油杆断裂分析

机械采油是国内外传统采油的主要方式,而有杆泵抽油方法是当前世界采油行业中应用最广泛的技术,也是迄今采油工程中一直占主导地位的举升方式。目前我国陆上机械采油约90%左右的油井采用有杆泵抽油技术。在实际生产中抽油杆断裂较为普遍,严重影响了原油产量,增加了修井费用,提高了原油成本。本文对文东油田油井抽油杆断裂进行了现场统计分析,对抽油杆断裂特性进行了研究,同时对断裂原因进行了分析,分析认为:断裂原因主要是抽油杆疲劳破坏、偏磨腐蚀、抽油杆柱的组合不合理、井况问题及管理不当等所致,并提出了应采取的技术及管理措施。应采取的措施主要从科学优化方案设计和加强科学管理及应用新工艺、新技术三方面进行了探讨。     

宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展

β-Ga2O3作为新型宽禁带半导体材料,近年来受到了人们的广泛关注。β-Ga2O3禁带宽度可达4. 7 e V,相比于第三代半导体SiC和Ga N,具有禁带宽度更大、击穿场强更高、Baliga品质因子更大、吸收截止边更短、生长成本更低的优点,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。此外,β-Ga2O3单晶可以通过熔体法生长,材料制备成本相对较低,有利于大规模应用。重点介绍了β-Ga2O3单晶的生长及工艺优化,然后对晶体加工、性能表征、光电探测及功率器件应用等方面进行了讨论,并展望了β-Ga2O3晶体未来的发展方向。     

雾化学气相外延法异质外延Ga2O3薄膜的生长特性

氧化镓各晶相的应用广泛,亚稳相只能通过外延的手段获得。选择合适的生长方法和提高异质外延水平仍是学术界一直探讨的问题。采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在蓝宝石衬底上异质外延生长了氧化镓薄膜,通过优化工艺条件实现了物相调控,系统研究了外延膜的结晶质量、组分和表面形貌,以及生长速率变化规律。同时,探究了Mist-CVD生长系统中,Ga₂O₃外延膜的晶体成核及晶相控制机理。在原有α-Ga₂O₃生长工艺的基础上,制备了α/ε混相薄膜、ε-Ga₂O₃纯相薄膜,呈三维岛状生长模式。在ε-Ga₂O₃纯相薄膜的基础上,随着氧气流量的增加,结晶质量先稳定后下降,生长速率先增加后降低,最高达到3μm/h。通过退火,获得了β-Ga₂O₃纯相薄膜,表面粗糙度由10.80 nm降低至5.42 nm。在利用Mist-CVD法进行不同晶相外延调控及其生长机理研究方面具有一定借鉴意义。     

导模法生长β-Ga2O3晶体中的小角晶界

Ga₂O₃作为最具发展潜力的超宽禁带半导体材料，其晶体缺陷方面还缺乏深入且全面的研究。面缺陷小角晶界主要存在于β-Ga₂O₃ (100)晶面，会破坏晶体结构完整性，降低晶体质量。采用化学刻蚀法和透射电子显微镜技术对导模法生长β-Ga₂O₃晶体中的小角晶界进行宏观分析和微观结构表征。研究表明：小角晶界两侧的刻蚀坑形状和朝向相同，晶界两侧的晶粒取向差约为3°，除此之外，小角晶界会使摇摆曲线出现肩峰及展宽，通过对β-Ga₂O₃晶体中小角晶界缺陷的微观结构进行表征，填补了小角晶界缺陷的研究空白。