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用国产六面顶压机在5.0GPa、1200℃~1700℃条件下实现了以稀土氧化物为助剂的AIN陶瓷体的高压烧结。对制备的AIN高压烧结体进行了高压热处理。用SEM对AIN高压烧结体的微观结构进行了表征。研究表明:高压制备陶瓷体材料能够有效降低烧结温度和缩短烧结时间,烧结温度最低温度达到1200℃,可比传统烧结方法降低400℃以上。在5.0GPa/1400℃/50min条件下制备的AIN高压烧结体出现穿晶断裂模式。高压热处理使得晶粒明显长大,形成了等轴晶粒组织。 相似文献
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在国产SPD 6×1200型六面顶压机上,研究了高温高压条件下铁触媒表面的氧化铁包覆层对金刚石成核的影响.研究发现,在5.7GPa和1600℃的条件下,铁触媒表面的氧化铁包覆层与石墨碳源发生氧化还原反应而生成了Fe3O4和FeO,同时包覆层内部的铁熔融渗出,并与石墨碳源接触,促使了金刚石的成核生长.与纯铁触媒相比,氧化铁包覆层对金刚石成核具有明显的抑制作用,而且随着包覆层厚度的增加,抑制作用更明显.文中同时还借助穆斯堡尔谱、X-ray衍射和扫描电镜测试手段,对上述实验机理进行了深入的探讨. 相似文献
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优质Ⅱa型宝石级金刚石的合成技术 总被引:1,自引:0,他引:1
贾晓鹏 《金刚石与磨料磨具工程》2005,(3):8-11
本文采用FeNiCo(KOV)触媒,在国产六面顶压机上,利用温度梯度法首次成功生长出尺寸约4mm的优质Ⅱa型无色透明的宝石级金刚石单晶。并通过对宝石级金刚石合成过程中除氮剂性质的研究,除氮剂添加量对生长晶体的影响,优质Ⅱa型宝石级金刚石单晶生长速度的控制等,介绍了在国产六面顶压机上生长Ⅱa型金刚石单晶的相关技术。实验结果表明,为了降低金刚石内部氮的含量,生长优质Ⅱa型金刚石单晶,需在合成腔体内部加入一定含量的除氮剂一钛。钛的含量在1wt%以上时的除氮效果较好,但钛添加过量(大于2wt%)又影响晶体生长的质量。 相似文献
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和优质Ib型宝石级金刚石单晶生长相比,作为当今高温高压晶体生长的一种高精尖技术,优质1/a型宝石级金刚石单晶对合成技术提出了更高更苛刻的要求:枢研究从晶体的生长速度出发,发现一开始阶段(大约几个小时)的晶体生长速度对优质宝石级金刚石单晶的后期生长争关重要。埘Fe-Al-C系统(Al含量不大于2.5wt%)来说,采用多品种法将晶体开始阶段的晶体生长速度由1.5mg/h降至0.5mg/h后,对生长过程中金属包裹体的进入有了明显的抑制作用,晶体的质量有了很大提高。从晶体中包裹体的存任形式来看,为了获得优质Ⅱa型宝石级金刚石单晶,在触媒中人为地添加除氮剂给晶体生长过程中的排杂过程带来了很大的难度:为了更好的实现排杂,必须很好的处理晶体表面的径向平铺生长速度和晶体轴向的堆积生长速度之间的火系。 相似文献