多羟基Bola有机硅季铵盐的合成、表征及其应用性能

以1,3-二（3-缩水甘油醚丙基）-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷（EDH）和八甲基环四硅氧烷（D4）为原料合成了端环氧硅油（ETSO）,以ETSO为原料与葡甲胺胺化得到中间体有机硅嵌段硅油（PTSO）,然后用γ-氯丙基三甲氧基硅烷（CPTSO）季铵化改性制备了Bola有机硅季铵盐（BPTSO）。BPTSO的季铵化过程最优合成工艺条件为：反应温度为80℃,物料摩尔比为n（PTSO）∶n（CPTSO）=1∶1.2,反应时间为3 h,PTSO转化率达98.60%。通过FT-IR、¹H NMR、TGA、TEM对BPTSO的结构及BPTSO乳液整理后织物的微观形貌进行了表征。测试结果表明：BPTSO乳液的表面张力γ 为29.4 mN/m,临界胶束浓度CMC为0.036 mmol/L,具有囊泡结构和优越的稳定性,经BPTSO乳液整理后的棉织物具有优异的柔软度、白度及亲水性,当BPTSO乳液的用量为60 g/L时,对棉织物的增深率可达到46.5%。     

一步电沉积法制备硫化镍/泡沫镍材料及其赝电容性能研究

通过一步电化学沉积法在泡沫镍(Ni foam，NF)集流体上制备了3D硫化镍(Ni₃S₂)材料，利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)等对所制备材料的物化结构和形貌进行了表征，并采用循环伏安法(CV)、恒流充放电法(GCD)研究了其作为超级电容器电极的电化学性能。测试结果表明，制备的Ni₃S₂/NF-10材料具有相互连接的3D结构，表现出优异的赝电容性能。在1 A/g电流密度下，比电容高达2850 F/g。将电流密度提高到10 A/g，该材料比电容仍能达到1972 F/g，说明其具有优异的倍率性能。测试结果表明所制备的Ni₃S₂材料有望应用于电化学储能领域。     

试析合理分配虚拟机资源,降低整合风险

为虚拟机配置过多的资源,会浪费了其他虚拟机可能要用到的资源,而资源分配过少又势必导致虚拟机性能低下,因此,了解哪些资源会对虚拟机稳定性产生影响、合理配置虚拟机资源,降低整合风险成为了一项重要的工作。