一款700V功率场效应管失效分析与改进

对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。     

一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET

基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用P-BOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的。采用Sentaurus TCAD软件对该BiCMOS NJFET的击穿电压进行仿真。结果表明,该NJFET的击穿电压达104 V,在相同N阱掺杂浓度下,比传统NJFET提高了57.6%。     

聚氟乙烯膜及改性的聚氟乙烯膜的制备、表征与分离性能研究

制备了聚氟乙烯(PVF)和添加0.5wt%氧化石墨烯(GraphiteOxide,GO)改性的聚氟乙烯膜,并用红外光谱(FTIR)等手段对其进行了表征,研究其溶胀性能和渗透汽化(PV)性能。在60～80℃下,用0.5%的苯酚/水混合物研究其对料液组合物的通量和选择性。结果表明,随温度升高PVF膜选择性下降而通量增加,但是改性膜的通量降低而选择性增加。     

将"课程思政"元素融入大学化学教学的探索实践

大学化学课程是农林院校食品、动科、动医、生物、制药等专业的基础课程,与社会各行各业息息相关。因此,在大学化学的教学过程中,要注重课程思政元素与专业知识相融合。     

漫谈化学发展史

化学是一门与人类生活密切相关的科学,绪论是化学教学的第一堂课,化学发展史是其中重要组成部分。本论文从时间进程讲述化学学科建立的历史,为化学的系统学习提供了素材,对化学学科的建立有了深刻的认识。     

一款600V VDMOS终端结构的设计

设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面电场最大值为2.36e5V*cm-1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤.     

一种P-GaN栅结合混合帽层结构的HEMT器件

为了进一步提升P-GaN栅HEMT器件的阈值电压和击穿电压,提出了一种具有P-GaN栅结合混合掺杂帽层结构的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)。新器件利用混合掺杂帽层结构,调节整体极化效应,可以进一步耗尽混合帽层下方沟道区域的二维电子气,提升阈值电压。在反向阻断状态下,混合帽层可以调节栅极右侧电场分布,改善栅边电场集中现象,提高器件的击穿电压。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比普通P-GaN栅增强型器件,结果显示,新型结构器件击穿电压由593 V提升至733 V,增幅达24%,阈值电压由0.509 V提升至1.323 V。     

一款700 V VDMOSFET结终端结构设计

为了提高功率器件结终端击穿电压,节约芯片面积,设计了一款700 V VDMOSFET结终端结构。在不增加额外工艺步骤和掩膜的前提下,该结构采用场限环-场板联合结终端技术,通过调整结终端场限环和场板的结构参数,在151μm的有效终端长度上达到了772 V的击穿电压,表面电场分布相对均匀且最大表面场强为2.27×105V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm)。在保证相同的击穿电压下,比其他文献中同类结终端结构节约面积26%,实现了耐压和可靠性的要求,提高了结终端面积的利用效率。     

超声结合酶法辅助提取甘蔗渣中水溶性多糖的工艺优化

该文以甘蔗渣为原材料,采用单因素试验和正交试验对甘蔗渣中水溶性多糖的提取条件进行优化,然后对其进行紫外吸收扫描和红外光谱分析。先用果胶酶、纤维素酶、中性蛋白酶逐个进行试验,比较提取率,结果表明,纤维素酶提取率最高。以纤维素酶作为辅助酶结合超声进行优化试验,结合极差分析和方差分析得到最佳优化工艺条件：料液比1∶30（g/mL）,酶解pH5.0,纤维素酶添加量为底物的4.5%,超声酶解时间60 min,超声酶解温度55℃,超声功率350 W,平均提取率为12.78%,比优化之前提取率高16.78%。紫外吸收图谱显示在波长260 nm～280 nm无特征吸收峰,即多糖中不含核酸和蛋白质,通过红外光谱检测官能团的伸缩振动峰图谱表明提取物质符合多糖的基本特征,进一步说明该提取工艺的可靠性。     

带N型浮空岛的新型LDMOS

为了解决薄外延横向功率器件的纵向耐压问题,提出了一种带有N型浮空岛的新型LDMOS。与传统LDMOS不同,该结构在漏端下方的衬底耗尽层内加入多个纵向排列的N型浮空岛,扩展了衬底的耗尽层,降低了漏端下方的高电场,在纵向引入新的峰值电场,优化了器件的横向和纵向电场分布,大幅提高了器件的击穿电压。利用Sentaurus TCAD软件对新结构进行了仿真。结果表明,漂移区长度均为80 μm时,新结构的击穿电压为964 V,比相同漂移区长度下的传统LDMOS提高了113.7%,优值为1.01 MW·cm-2,比传统LDMOS提高了211%。