氧化锆对镁质耐火材料显微结构及性能的影响

研究了氧化锆的加入对镁质耐火材料显微结构、高温强度和抗热震性能的影响.结果表明,氧化锆的加入显著地改变了镁质耐火材料基质中方镁石晶粒间硅酸盐相的组成及分布状态.随氧化锆的加入,低熔点的硅酸盐相(C3MS2或CMS)逐渐变为高熔点的硅酸盐相(M2S);硅酸盐相由在方镁石晶粒间的连续分布逐渐变为团聚于晶粒交接处的孤立分布.基质中晶粒间的结合方式由以方镁石和硅酸盐相结合为主逐渐转变为以方镁石和氧化锆间的直接结合为主.这种显微结构的变化导致镁质耐火材料的高温强度和抗热震性能大幅度提高.     

陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池工艺

为了大幅度降低成本,真正实现太阳能电池的大规模应用,设计出一种新颖的薄膜电池,即在廉价的陶瓷衬底上沉积多晶硅薄膜制作的太阳电池.介绍了制作这一电池的完整工艺流程,摸索出合适的工艺参数,解决了在异质衬底上生长大晶粒多晶硅薄膜和表面电极引出的问题,实验取得了令人满意的结果.     

氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究

采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高 质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用X射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到 的表面形貌,并采用扩散法和正面引电极的方法初步探索了电池的制备工艺,电池的开路电压达到196mV,短 路电流为200μA。     

陶瓷衬底薄膜太阳能电池的制备

详细分析了陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池在制备过程中由于衬底的引入而导致一系列问题,比如衬底杂质含量过高、热膨胀系数等热力学参数和硅不匹配、沉积过程中杂质扩散以及晶体学参数不匹配导致沉积的硅薄膜晶粒不能长大等.针对衬底可能导致的不利因素给出了解决办法,同时进一步用实验验证了工艺的可行性.     

薄膜太阳能电池的研究进展

第二代薄膜电池有希望能大幅度降低电池的成本,真正实现太阳能电池的大规模应用.本文详细介绍了第二代薄膜电池的分类、制备工艺以及研究现状等.     

陶瓷衬底上薄膜电池的初步探索

采用快速热化学气相沉积方法在氧化铝和氮化铝陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜及太阳电池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在经过区再结晶后增大且霍尔迁移率提高,但随后的薄膜生长发现薄膜出现裂纹,影响了电池的效率,在Al_2O_3衬底上得到196mV开路电压,1．93mA短路电流；在AIN衬底上得到310mV开路电压,5．31mA短路电流。     

多晶硅薄膜太阳能电池的衬底材料和制备工艺

研究了太阳能电池的发展历程,详细介绍了多晶硅薄膜太阳能电池的各种工艺,阐述了在实际研究过程中沉积大晶粒多晶硅薄膜的技术路线和工艺,并对多晶硅薄膜太阳能电池的研究趋势做了展望.     

快速热化学沉积工艺条件对制备多晶硅薄膜的影响

选用Al2O3陶瓷作为衬底,采用快速热化学法沉积多晶硅薄膜.实验研究了温度对薄膜生长的影响,结果表明,硅层的沉积速率随着温度升高而加快,并逐渐趋向1个稳定值.晶粒尺寸也随着温度升高而增大,在温度达到1000℃后保持不变.在此硅薄膜上,采用磷扩散掺杂,制备出太阳能电池器件,并且分析了掺杂量对电池效果的影响.     

陶瓷衬底材料对多晶硅薄膜沉积质量的影响

通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.     

放电等离子烧结超快速合成MgAlON尖晶石的研究

本文以MgO、AlN及Al2O3为原料，研究了采用放电等离子烧结技术合成MgAlON尖晶石的机理。并成功地实现了MgAlON陶瓷的超快速制备。研究结果表明，MgAlON的合成机理为：在1200℃以前，MgO和Al2O，首先反应形成尖晶石，该尖晶石是一中间体。随着烧结温度的升高(1300℃以上)，AlN开始向中间体中固溶形成MgAlON。研究表明，采用放电等离子烧结技术，在1600℃保温5min及在1700℃保温1min的条件下即可获得致密的单相MgAlON陶瓷。