等通道挤压对纯铜组织与性能的影响

等通道挤压作为强烈塑性变形方法的一种,可使材料的晶粒尺寸细化到纳米级.对纯铜试样进行了不同道次的等通道挤压变形,并对其组织和硬度进行了测试.结果表明,纯铜在进行等通道挤压变形时,先形成条带状亚结构,随着挤压道次增加,这些亚结构逐渐细化,亚界面逐渐转化成小角度晶界,进而转化为大角度晶界.经过等通道挤压变形8道次后,纯铜可细化至40～120 nm大小的纳米晶结构.经等通道挤压后纯铜的硬度显著上升,随着等通道挤压道次的增加,硬度增长趋于平缓,6道次后逐渐趋于饱和.     

Al掺杂对ZnO纳米线CO气敏性能的影响

以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Al掺杂ZnO纳米线为气敏基料,制备成旁热式气敏元件,用静态配气法对浓度均为100ppm的氨气、甲烷、一氧化碳3种气体进行气敏性能测试。结果表明,Al掺杂后,ZnO纳米线对3种气体灵敏度的最高值分别提高了40%、60%、106%,对CO气体的影响最为显著,并缩短了响应时间和恢复时间。     

RE对高铬铸铁定向凝固组织和力学性能的影响

采用液态金属冷却的高温度梯度定向凝固设备,研究了RE对高铬铸铁定向凝固组织和力学性能的影响.研究表明,稀土主要位于高铬铸铁的基体组织中,随凝固速度的增加,稀土在基体中的含量增加;稀土对高铬铸铁定向凝固组织中的碳化物具有细化作用,并随凝固速度的增加,定向凝固高铬铸铁组织细化程度提高,同时稀土的加入使高铬铸铁的抗拉强度明显提高.     

多晶体Ni_3Al的形变缺陷分析

本文报告了多晶体Ni_3~-Al形变缺陷的透射电镜及计算机模拟分析结果。研究表明,多晶体Ni_3~-Al经轻微塑性变形后,其位错组态为a/3〈111〉型内禀式堆垛层错和a/2〈110〉型反相畴界式的位错偶和单个位错,其中又以堆垛层错为主。说明在{111}面上形成大量不可动型的堆垛层错是多晶体Ni_3Al塑性变形的主要微观机制之一。本文对Ni_3~-Al多晶体极低塑性的原因也进行了分析讨论。     

晶界对信号传输影响的研究及小直径金属线材单晶化技术

晶界对传输信号影响规律的研究表明,晶界的电阻率大于晶界两侧晶粒的电阻率是晶界影响传输信号的本质,晶界的三元特性-电阻、电容以及电感特性是晶界对传输信号影响的具体表现形式.提出了金属线材的单晶化技术可将直径较粗的多晶金属线材直接拉制成无限长、直径较细的单晶金属线材.此外,对单晶连铸技术凝固组织的演化进行了初步的模拟,根据模拟结果,探讨和分析了工艺参数对单晶化过程中凝固组织演化的影响规律.     

硅微米晶须的定向排列生长

利用物理热蒸发法在1016～1066℃的温度范围内成功制备出定向排列生长的硅微米晶须。借助扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)研究了硅微米晶须的形貌、化学成分及晶体结构,讨论了环境压力对硅微米晶须生长有序性的影响。研究结果表明,在环境压力为13.3kPa时,硅微米晶须均垂直于衬底表面生长,定向排列生长的硅微米晶须面积可达13mm×6mm;硅微米晶须的生长遵循气—液—固(VLS)机制;透射电子显微镜观察及选取电子衍射花样表明,硅微米晶须的球形头部为晶体,杆的中部为晶体外包覆非晶体的结合体,杆的尾部为非晶体;环境压力越低,硅微米晶须的定向排列的方向性越好。     

35CrMnSiA钢表面裂纹断裂韧性值K_(1E)的测试和研究

<正> 一、前言 目前,断裂力学的理论和实验技术已经较好地解决了穿透性裂纹试样的断裂问题,并在失效分析和工程设计中获得较好的应用。然而,在工程中多数低应力脆断都由非穿透型的表面裂纹失稳扩展所引起。因此,对于表面裂纹断裂韧性的研究和测试更具有实际意义。 35CrMnSiA钢在兵器工业中有着广泛的应用。然而,有关该钢断裂韧性的研究,尤其是表面裂纹断裂韧性的研究甚少。在实际生产中,有些产品往往只强调强度而忽略了     

晶界对信号传输的电容效应研究

根据晶界的电阻率大于晶界两侧晶粒的电阻率 ,提出晶界对传输信号影响的电容模型。通过不同温度退火 ,得到含晶界数不同的铜导线 ,将含不同晶界数的铜导线制备成标准的高保真同轴电缆 ,并测量其电容值以及损耗正切值。测量结果表明 :导线的电容值以及正切损耗值随晶界数的增加而降低 ,其数值关系满足关系式。垂直于信号传输方向的晶界对传输信号的影响显著 ,而平行于传输信号的晶界对信号的影响相对弱一些。由于晶界的电容效应 ,晶界增加传输信号的失真度 ,增加同轴电缆对传输信号的衰减量等     

中国半导体行业投资热的另类思考

2004年9月23日,英飞凌科技总投资10亿美元的封装测试厂在苏州开工,2004年9月25日,中芯国际投资30亿美元的12英寸生产线在北京亦庄剪     

单晶铜制备HSYV-5e 4×2×0.5数字通讯电缆的性能研究

用自制区域熔炼单晶化设备制备了直径为2.7 mm铜单晶线材,经过冷拔加工至直径为0.51 mm,采用信息产业部生产标准YD/T 1019-2001制成HSYV-5e 4×2×0.5数字通讯实心水平对绞电缆,分别对导体材料为变形单晶铜和普通无氧铜电缆的电气性能进行检测,对比试验结果表明:变形单晶铜比普通无氧铜电缆的直流电阻低4.59%;变形铜单晶电缆对信号的衰减作用有明显的改善;单晶铜线材冷拔变形后显微组织存在变形孪晶和晶界.