纯镍金相腐蚀中化学抛光方法的研究

对纯镍化学抛光方法中抛光剂的组成、抛光温度和抛光时间进行了研究.结果表明:用正交试验方法确定金属的抛光配方可行,此方法可以用于其他金属或合金;纯镍抛光的较佳腐蚀液配方的体积分数为正磷酸4.8%、硫酸66.7%和盐酸28.5%,腐蚀时间为15 min;该方法可以一次进行多组试样的化学抛光.     

一种铜管材酸洗设备的应用

在大型铜管材生产时,表面易产生和附着金属杂质和氧化物,为保证其质量,需进行酸洗.在酸洗时,机械抓手将每一根铜管分开,并自动的掉入酸洗槽、漂洗槽中进行酸洗和漂洗.酸洗槽底部有自动回水装置,它能剥离铜管表面的氧化皮和杂质.酸洗时产生的酸雾由吸风管道送到吸收塔中.酸洗时所用的酸液采用自动配酸系统进行配置,将浓硫酸和浓硝酸在配...     

超低温等通道转角挤压高导电单晶铜的霍尔佩奇强化

分别采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪和电子背散射衍射分析超低温等通道转角挤压(ECAP)中等应变量单晶铜的形变组织和织构演变，测试材料的力学和导电性能，分析材料组织转变机理及其对材料力学和导电性能的影响。结果表明，超低温ECAP早期形成的定向剪切带在后续变形过程中会严重影响材料组织的转变过程。增加应变量，A路径变形中剪切带内部会形成高密度的位错塞积，特征晶界占比增加；B_C路径变形时剪切带内部的位错发生强烈的交互作用；C路径变形后剪切带的取向发生分散。经过6道次变形后，单晶铜组织中形成强烈的{111}<112>织构，材料强度从初始126.0 MPa增加到400.2 MPa，而导电率仍保持在98%IACS以上。低温ECAP变形后组织内部形成定向剪切带并产生高密度的位错，位错间相互缠结，有效阻碍了位错滑移，而晶粒仍保持良好的单晶特性。