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1.
以学生中心、产出导向、持续改进的OBE理念,是师范类专业认证工作的行动指南,贯穿师范类专业认证全过程。在《分析化学实验》课程中,本学院教学团队基于OBE教学理念,进行了教学改革。通过修订课程教学大纲,调整实验内容,改进教学模式和优化评价机制,促进了实验教学内容与中学实验相关性、增强了团队协作能力和学生的学习兴趣,为化学专业人才培养提供了有力支撑,也为学院顺利通过师范类专业认证工作提供了保障。  相似文献   
2.
优化算法有多种多样,且都有一定得应用背景。本文提出基于社会网络的智能优化算法。社会网络映射出了全局感知、交叉和变异、种群划分等相融合的优化思想。该算法的提出解决了以往优化算法只满足单一背景与实际情况复杂多样的矛盾。更好的解决了关于优化的相关问题。  相似文献   
3.
以多孔C泡沫为预制体,利用液相渗Si工艺制备了C/SiC复合材料。采用酚醛树脂浸渍-裂解工艺对C泡沫预制体的孔隙率进行调整,考察浸渍-裂解周期对C泡沫预制体孔隙率的影响,研究了C泡沫预制体孔隙率对C/SiC复合材料密度、力学性能、组成和结构的影响。结果表明:预制体孔隙率为72%时制备的C/SiC复合材料性能较好,其密度为2.58g/cm3、弹性模量为81.39GPa,抗弯曲强度为83.88MPa;随着预制体孔隙率的降低,复合材料的密度、弹性模量和抗弯曲强度不断降低,预制体孔隙率的降低影响液相Si充分扩散与C反应,造成复合材料内部存在大量闭孔,这是导致C/SiC复合材料性能下降的主要原因。  相似文献   
4.
江西崇义县宝山矽卡岩型钨矿床与宝山花岗岩有密切联系。本文从花岗岩的成分、时间、空间及成因上,分析了与矽卡岩钨矿的关系,总结出宝山花岗岩具有钨成矿专属性和岩凹控矿等规律,对矿山的探矿和生产有指导作用,对同类型矿床具有一定借鉴意义。  相似文献   
5.
平凉新安煤业有限责任公司新安煤矿由于地质条件复杂,构造应力大,大部分巷道工程均出现了严重变形破坏的现象,严重影响矿井的安全生产.基于巷道变形破坏特点及原因,提出了恒阻大变形锚杆+φ6 mm压焊平网+反底拱钢砼+喷射C20混凝土支护的方案,进行了合理支护技术参数的确定,从而基本上控制了巷道变形,并满足了矿井安全生产的需要.通过对试验巷道的监测,该支护方案能有效控制围岩变形,实现了支护体与围岩的耦合,能有效控制围岩稳定性.  相似文献   
6.
本文从氮化硼复合材料的优异性能出发,介绍了近年来氮化硼复合材料的研究进展和应用,综述了几种制备氮化硼复合材料的工艺路线,并就氮化硼复合材料目前制备工艺存在的问题和应用前景进行了展望.  相似文献   
7.
连续SiC纤维增韧SiC陶瓷基复合材料(SiCf/SiC CMCs)具有低密度、优异的高温力学性能和抗氧化性能,在航空发动机热端部件上具有广阔的应用前景,具备提高发动机推重比和使用温度、减轻无效重量、简化系统结构等显著优势.延长SiCf/SiC复合材料在航空发动机高温氧化环境下的服役寿命是当前需要解决的难题.本文从纤维、界面相、基体、表面涂层四个方面综述了SiCf/SiC复合材料高温抗氧化研究进展.采用多元多层自愈合界面相、对基体进行改性以及采用表面自愈合整体涂层都可以有效提高SiCf/SiC复合材料在高温氧化环境中的使用稳定性和寿命.  相似文献   
8.
江西宝山矽卡岩型白钨铅锌多金属矿床中的伴生银价值较高。本文对宝山银进行了初步分析研究,得出的结论:1)宝山银以1~15μ亚微粒独立银矿物的状态分布于方铅矿等硫化矿物中,方铅矿是银最主要的载体矿物;2)银的嵌布特征呈被包裹型为主,粒间型为次;3)银呈现北高南低、东高西低、上富下贫的分布规律,并且Ag与主元素Pb、Zn、Cu基本呈正相关关系;4)矿化时间上银主要分布于硫化物晚阶段,且在方铅矿→黄铜矿→磁黄铁矿→毒砂→闪锌矿→黄铁矿→白钨矿中呈递减规律;5)Ag在铅精矿+34.2μ~-8.3μ粒级内含量占总量的94%。建议应以提高铅矿、铜矿、锌矿回收率来达到提高伴生银回收的目的。  相似文献   
9.
以中间相沥青浸渍整体碳毡发泡技术制备的一种新型多孔C/C泡沫复合材料为预制体,通过液相硅浸渗(LSI)工艺制备了C/SiC复合材料,研究了预制体不同孔隙率对Si浸渗及C/SiC复合材料力学性能和微观形貌的影响,分析了复合材料的物相组成和晶体结构.结果表明,采用发泡技术可以快速有效地实现C/C预制体的致密化处理.预制体孔隙率为65.41%时液相硅浸渗处理后所得复合材料性能最好,密度为2.64g/cm3,弯曲强度为137MPa,弹性模量为150GPa.纤维未作表面抗硅化涂层处理以及复合材料中存在闭孔是C/SiC复合材料性能不佳的主要原因.  相似文献   
10.
化学气相沉积SiC涂层生长过程分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
以高纯石墨为沉积基体,MTS为先驱体原料,在负压条件下沉积了CVD SiC涂 层.利用SEM和XRD分别对涂层的形貌及晶体结构进行了表征,SiC涂层表面呈菱柱状, (111)面为择优取向面.利用高分辨透射电镜对涂层与基体的界面结构、涂层的显微结构进行 了研究,得出CVD SiC涂层生长过程如下:SiC最初是沿着石墨基体的晶面取向开始生长 的}随后经历一段取向淘汰及调整的过程后,开始(111)晶面的生长.  相似文献   
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