固体化合物阻止截面的Bragg法则研究

一、引言带电粒子穿过介质时的能量损失(即阻止本领),几乎是在所有用射线或束流的核物理实验中必然涉及到的一个问题。自Bohr第一次提出带电粒子在介质中的慢化理论以来,经过数十年的实验和理论探索,现在已经获得大量实验数据,拟合出可供实际应用的     

氢等离子体作用下的Zr薄膜氢化特性研究

本文研究Zr薄膜在等离子体作用下的氢化特性，测试表明，与分子氢相比，氢等离子体作用下氢化速率明显增高，在室温和≈2Pa氢压的DC放电条件下，氧化10min样品的氢化浓度可达饱和值，即66.67（原子分数，%），远大于该压强下的气体氢化浓度，在非超清洁系统中，等离子体氢化在样品表面产生大量的氧污染和少量的碳污染，少量的表面氧化物并不阻碍等离子体氢化，但随着污染的增加，氢化浓度却大大减少，Ni对样品表面氢分子解离吸附和氢原子再结合逸出有着不同程度的催化作用，在低的放电压强和放电电流下，表面镀Ni使Zr的稳态氢化浓度减小，而在高压强、低电流下，表面镀Ni可增加Zr的氢化效率。     

用背散射进行物质表面分析

背散射是物质表面分析的一种有用工具。本文简要介绍了背散射的原理和常用的分析方法,给出了用背散射技术测量金属和非金属厚度、分析硅中掺砷含量、测量Si_3N_4样品的化学配比、分析离子注入样品、测量氯元素在二氧化硅中的深度分布等实验结果。     

用背散射和沟道技术分析异质外延硅层的缺陷

<正> 近几年来,在绝缘体上进行外延硅层生长得到了很大的重视.其中以蓝宝石和尖晶石为基体的外延硅层研究得较多,因为这种外延层较薄(典型值～1μm),基体绝缘性好,耐辐照性能强;用这样的材料做MOS集成电路,具有高频性能好、耐辐照的优点,特别适用于宇航环境.但这种外延层(称异质外延)不容易做得好,这种外延层中往往存在着大量堆垛缺陷和孪晶薄层.在实践中,人们常需采用各种有效的实验手段来测试外延层的质量,以研究工艺过程中有关条件对质量的影响,从而选择最佳的工艺条件.     

钛薄膜氢化及热释放特性研究

用高能离子非卢瑟福背散射分析和前向反冲分析方法研究了Ｃ、Ｏ污染对Ｔｉ膜的吸放氢能力的影响。实验观测到,１．２６＊１０＾１６ｃｍ＾－２和２．６＊１０＾１６ｃｍ＾－２Ｏ的双重污染可使Ｔｉ膜在３００ｎｍ的范围内存在着低的Ｈ浓度区,使氢的热释放温度大大提高。     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成     

Ti-Mo合金薄膜的储氢特性和抗氢脆能力

用前向反冲方法和高能非Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射研究了磁控溅射制备的Ｔｉ－Ｍｏ合金薄膜的氢化性能和碳、氧污染的影响,掺Ｍｏ的Ｔ洽 金薄膜不仅能大大减低碳的污染,而且较纯钛有较高的吸氢性能合金氢化后由δ相氢化物和β相固溶体组成,随着Ｍｏ成分增加,合金中的β－（Ｔｉ,Ｍｏ）含量上升,当ＭＯ含量约２０时可形成单一的β相固溶体此时氢含量仍可在４５以上。Ｔｉ－Ｍｏ合金薄膜同时也具有良好的附着力和抗粉化性能。     

等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析

采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应~(16)O(d,p)~(17)O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比及杂质氧的含量。文中指出了基体温度从室温到560℃范围变化时,氮化硅膜的硅、氮、氢组成比例的变化,及与其它特性(折射率、密度、腐蚀速率)的相关性。     

高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究

将能量分别为３ＭｅＶ或５ＭｅＶ，剂量为１×１０１６ｃｍ－２的砷离于注入＜１００＞硅单晶，经１０５０℃，２０ｓ退火形成导电埋层．本文分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学５向应．在５００─４０００ｃｍ－１波数范围的红外反射谱中观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象．应用计算机模拟红外反射谱获得了导电埋层中的载流子分布，迁移率和高能注入离子的电激活率．     

DEPTH PROFILING OF DEUTERIUM IN Al2O3

ＤＥＰＴＨ　ＰＲＯＦＩＬＩＮＧ　ＯＦ　ＤＥＵＴＥＲＩＵＭ　ＩＮ　Ａｌ_２Ｏ_３￥ＴａｎＸｉａｏｈｕａ（谈效华）；ＬｕｏＳｉｗｅｉ（罗四维）；ＳｏｎｇＺｈｅｍｉｎｇ（宋哲明）（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐｐｌｉｅｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｏｆＣＡＥＰ，Ｃｈｅ...