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1.
低亚声速射弹垂直入水的流体与固体耦合数值计算研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基于多物质的任意拉格朗日-欧拉-拉格朗日流体与固体耦合算法,考虑水的可压缩性,建立了低亚声速射弹垂直入水的流体与固体耦合计算模型。对低亚声速射弹入水时空泡、流场与弹道间的多介质耦合问题进行了数值计算,得到了不同入水条件下入水深度、速度变化曲线和空泡面闭合、空泡深闭合时间。模拟了高速射弹入水后的空泡演化过程,得到了射弹初始入水速度对空泡面、空泡深闭合时间的影响规律以及射弹加速度、应力、应变响应。将阻力系数数值计算结果与经验公式计算结果进行了比较,二者吻合良好,表明该数值计算方法是可行的。 相似文献
2.
采用溶胶-凝胶法合成了Bi4Ti3O12(简称BTO)和La掺杂Bi4-xLaxTo3O12(简称BLT)薄膜,通过TG-DTA、XRD、AFM等技术手段研究了薄膜的制备工艺、相组成和微观形貌.研究表明:用乙醇铋(自制)、钛酸正丁酯和硝酸镧作为原料,乙二醇、冰乙酸作为溶剂,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si结构的基片上,Sol-Gel法旋涂的薄膜经60℃干燥,反复涂覆5次,60℃干燥,300℃除有机物,550℃快速热处理10 min可得到钙钛矿相BTO薄膜.600℃快速热处理的薄膜比随炉冷却的薄膜均匀致密,随着La含量增加薄膜晶粒细化. 相似文献
3.
4.
Al2O3含量对Al2O3/LiTaO3复合陶瓷介电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用热压烧结法制备了Al2O3/LiTaO3 (ALT) 陶瓷复合材料, 研究了Al2O3不同体积含量(5vol%、10vol%、15vol%和20vol%)对LiTaO3压电陶瓷介电性能的影响. 结果表明:随着频率的增加, 不同Al2O3含量的ALT陶瓷复合材料的介电常数和介电损耗均降低, 但降低的幅度不同. 少量Al2O3(5vol%)的添加既能增大材料的介电常数同时又降低了材料的介电损耗, 但是随着Al2O3含量的继续增加, ALT陶瓷复合材料的介电常数和介电损耗都增大, 其居里温度先升高后降低. Al2O3作为第二相不但能促进LiTaO3陶瓷烧结致密,而且对ALT陶瓷复合材料的介电性能也有提高. 相似文献
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9.
采用固相反应法合成了SrBi2Ta2O9(简称SBT)和V掺杂SrBi2Ta2O9(简称SBTV)陶瓷,通过TG-DTA、XRD、SEM、TEM等技术手段研究了材料的烧结工艺、相组成和微观组织结构.研究表明V2O5是一种很好的助烧剂,掺杂后材料的烧结温度可降低200℃烧结后纯SBT均为单一的钙钛矿相SBT;掺杂后2种成型工艺所制备的SBTV除了生成少量Bi4(V2O11)外,仍主要由钙钛矿相组成;同时所有的材料都发生了一定程度的择优取向.掺杂后材料的晶粒形态发生变化棒状转化为片状.同时V掺杂后引起了晶格畸变,产生应变,SBTV材料在透射中观察到具有α-边界特征的90°畴. 相似文献
10.