铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究

用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。     

白口铸铁磨面辊齿等离子弧重熔组织和耐磨性

利用等离子弧重熔技术对离心铸造白口铸铁磨面辊齿面进行强化处理,借助光学显微镜和洛氏硬度计观察测试重熔层的组织结构及硬度,并对重熔前后试样表面的耐磨性进行了对比试验.试验结果表明:辊齿经等离子弧重熔组织由亚共晶白口转变为共晶和过共晶的混合组织,拉齿破坏的离心铸造的"流线的连续性"得到恢复,辊齿齿顶的硬度由原来HRC58～60提高到了HRC64～65,耐磨性是重熔前的2～3倍.     

基于Fresnel-Kirchhoff理论的无限大声屏障绕射声衰减

从实际工业噪声控制中大面积有壁障噪声源的噪声控制问题出发,应用Fresnel-Kirchhoff理论和Babinet原理,建立计算无限大声屏障绕射声衰减的理论模型。通过数值求解,分析了声源、接收点位置,声波频率和地面反射等对声屏障绕射声衰减的影响。     

V掺杂ZnO性质的第一性原理研究

采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同浓度的V掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,V的掺杂导致ZnO晶格发生了微小膨胀,禁带宽度变窄,体系引入的杂质能级靠近导带底,费米能级进入了导带并且穿插在杂质能级中,自旋态密度分布具有不对称性,自旋向上的电子数比自旋向下的电子数多,对态密度进行积分后发现V掺杂ZnO体系表现出净磁矩,具有磁性.当V掺杂后,V-3d态电子与O-2p态电子的态密度分布大部分重合,形成了pd杂化.     

铁对紫铜渗铝层α+γ_2组织和性能的影响

在紫铜渗铝的基础上,同时渗入比铜和铝熔点高、比铜溶解度小的铁元素,进行固溶处理.用扫描电子显微镜、能谱仪和显微硬度计测试了渗层的组织、成分和显微硬度,用X射线衍射仪分析了物相、用动载磨料磨损试验机进行了耐磨试验、在高温箱式电阻炉中进行了耐热性试验.结果表明,Fe可以细化α+γ2组织,使片间距小、片短、更致密,抗氧化和耐磨性好于单一渗铝组织.     

C10H18N2O4Pt结构和性质的密度泛函理论研究

C10H18N2O4Pt是奥沙利铂的一种新型的衍生物.采用密度泛函理论DFT-B3LYP方法研究C10H18N2O4Pt的全优化构型、电子结构和IR谱;6-31++G**基组用于计算非金属原子,金属原子则采用赝势基组lanl2dz计算.分析了红外振动频率并以0.96为频率校正因子对频率进行修正.根据计算可知,分子中N16和N20原子有强的亲核活性,Pt19原子有强的亲电活性,得到了C10H18N2O4Pt分子的HOMO轨道图和IR谱.这些为进一步研究C10H18N2O4Pt提供了理论依据.     

Word与办公自动化系统应用接口的设计与实现

随着LotusDomino数据库系统在办公自动化中的广泛应用,如何将Word应用程序集成到办公自动化系统中已成为一个急需解决的问题。以Word为例讨论使用ATL技术编写Word应用程序的COM加载项,实现了COM加载项与宿主应用程序和与LotusDomino数据库的集成。该方法在实现某单位办公自动化系统中收到了很好的效果,特别是在公文处理方面体现了高效、方便及个性化等特点。     

铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究

用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中.利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布.测出的实验值和TRIM'98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98模拟计算的理论值符合较好.