Ca替代Y对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导电性的影响

用固相反应方法制备了Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_y(x=0.0,0.02,0.05,0.10,0.15,0.20,0.50)系列样品,发现超导转变温度随x增加而呈线性下降。粉末x-射线衍射结果表明,在x≤0.15范围内,体系呈现出很好的正交单相性,晶格参数无明显变化。用碘滴定方法测量了体系的氧含量,发现随着x的增加,Cu的平均价态降低,氧含量减少。把上述结果同Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_y作比较,表明氧含量和Cu的平均价态均不是决定Tc的直接因素。讨论了氧含量改变的可能位置和引起超导电性发生变化的原因。     

YBa2Cu3O7—δ超导体中决定Tc的两个内禀因素

本文综合报导我们研究组在YBa_2Cu_3O_(7-δ)的元素替代效应研究中所获得的实验结果和从中获得的重要结论。实验结果表明:正交晶体结构、氧含量、Cu的氧化价态,以及金属——半导体(绝缘体)相变等都只是决定Tc的表观因素;存在着CuO_2平面外和CuO_2平面上元素替代的两种不同机制;体系的载流子浓度和CuO_2平面上Cu原子间的动力学的短程反铁磁关联是决定Tc的两个内禀因素。Y系123相双元素替代和Bi系2212相的实验结果进一步证实了上述结论。     

Ba-Nd-Gu-O体系超导电性和相组成

本文报道了Ba-Nd-Cu-O体系中,样品组成热处理条件对其相组成和超导电性的影响。制得一系列液氮温区超导体,最高Tc(ρ=0)为84.5K。通过对其物相组成和超导电性关系研究,表明Ba_2NdCu_3O_■为该体系的高温超导相。     

用于永久性存贮器Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜的特性

用磁控射频溅射方法制备了Pb（Zr0．52Ti0.48）O3薄膜。研究了制膜工艺对Pb（Zr0．52Ti0．48）O3薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明，所制备的薄膜表面致密、光滑。此Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜以钙钛矿结构为主，并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得，通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的铁电特性得到很大提高。并制备出用于永久性存贮器的优质Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜。     

NbTi/Cu-Ni/Cu三组元超导磁体的快速励磁特性

采用强迫励磁和在额定电流下突然合闸两种励磁方式,测量了Nb-Ti/Cu-Ni/Cu三组元超导体的稳定性。试验表明,与纯铜为基的Nb-Ti磁体相比,三组元超导磁体的H_c值高得多。     

CRYSTALLIZATION KINETICS OF THE METALLIC GLASS Zr_(75.9)Ni_(24.1)

借助于DSC的峰分析和随后的计算机数据处理,确定了金属玻璃Zr_(75.9)Ni_(24.(?))在恒温和连续升温两种结晶过程的动力学参数及TTT曲线.相应的有效激活能分别是224和194kJ/mol,反应指数分别是3.38和3.77.推测这是一个成核速率下降的共晶结晶过程.这与Altounian等人以及我们自己的X光衍射实验结果相一致.文中还对恒温和连续升温两种差热分析技术作了简短的讨论.     

MICROHARDNESS AND STRUCTURAL RELAXATION IN AMORPHOUS Zr-Co AND Zr-Ni ALLOYS

<正> 非晶态合金往往具有高强度和高屈服韧性等优异的力学性质,而且像结构弛豫和结晶化过程会对它产生明显的影响。只是以往的研究对象主要为金属-非金属型合金。在此,我们报道由前、后过渡金属所组成的金属-金属型非晶态合金的结构弛豫和结晶化效应。基于分析力学性质问题的复杂性,还把显微硬度的变化与差分比热、电阻率、超导临界温度、X射线小角散射和中子小角散射等测量结果作对照,并结合结构弛豫和结晶化动力学进行讨论。 一、实验 非晶态样品的制备方法和条件,以及对它作非晶态特性的检验,在文献[7]中已作报道。 显微硬度测量在LEITZ DURIMET 2上进行。测量时,应保证凹坑深度在带总厚度的三分之二以内。由于非晶带各个方向的冷却速率有所差异,往往导致其硬度值因测量所选择的面不同     

Ln_2BaCuO_5附近组成的合成及其电学性质

本文报导采用不同的烧结条件制备Ln_2BaCuO_5(Ln=D_Y,Y)单相化合物,并通过改变组分之间的化学计量配比,研究了其物相与它们电学性质之间的关系。     

金属玻璃Zr_(75.9)Ni_(24.1)的结晶动力学特性

借助于DSC的峰分析和随后的计算机数据处理,确定了金属玻璃Zr_(75.9)Ni_(24.(?))在恒温和连续升温两种结晶过程的动力学参数及TTT曲线.相应的有效激活能分别是224和194kJ/mol,反应指数分别是3.38和3.77.推测这是一个成核速率下降的共晶结晶过程.这与Altounian等人以及我们自己的X光衍射实验结果相一致.文中还对恒温和连续升温两种差热分析技术作了简短的讨论.     

PZT多层薄膜物性的研究

对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析，结果表明：通过对多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜的性能，为进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现。制备多层膜较理想的溅射条件是衬底温度Ts＝650℃，薄膜子层厚度约为300um，衬底则以MgO（100）单晶、SiO2（100）单晶为佳。结构分析的结果显示出：PZT多层铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的电畴呈180°。通过比较可以发现，子层厚度及总厚度超薄，膜的介电常数越大，弛豫频率也越高。但薄膜总厚度对多层膜的绝缘性能影响不大，这说明薄膜的绝缘性质主要是由金属－铁电薄膜的界面决定的。在不同的电压下，多层膜的传导性能影响肖特基势垒的穿透和Fowler－Nordheim隧穿。