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1.
研究了1000~1200℃ 1~3 h固溶、淬火或空冷对超低碳奥氏体不锈钢00Cr24Ni13(/%:≤0.02C、23~25Cr、13~14 Ni)200 mm×1 250 mm铸坯8铁素体转变的影响。结果表明,随固溶温度升高和保温时间延长铸坯中δ铁素体量减少;随固溶温度的升高,铸坯中的连续网状δ铁素体断开并且长大,空冷则会促使高温下长大的δ铁素体向小尺寸颗粒状组织转变;当铸坯试样在1 200℃保温3 h空冷后,网状δ铁素体完全转变成弥散分布的小于10μm的颗粒状铁素体组织,δ铁素体相比例也由14.3%降至7.3%。相对于颗粒状铁素体,网状δ铁素体的奥氏体-铁素体两相界面在轧制中更容易产生裂纹。  相似文献   
2.
采用稳态阳极极化曲线、恒电位开路衰减响应曲线和电化学噪声等多种电化学测试技术研究了光亮退火处理的304不锈钢在0.01-0.6mol/L NaCl溶液中的耐蚀性能.研究结果表明,不锈钢的点蚀击穿电位Eb值与Cl-浓度的对数呈线性关系,在同一浓度下,光亮不锈钢的Eb值比普通不锈钢大约正400-600mV;在0.6mol/L NaCl溶液中不锈钢恒电位开路衰减及电流噪声的测量结果也表明,光亮退火处理使不锈钢在NaCl溶液中钝化膜的稳定性明显改善,耐点蚀能力显著提高.  相似文献   
3.
4.
本文介绍用LINK-ISIS显微分析系统测试分析不锈钢复合钢板复合区的化学成分分布特征,认为复合区成分变化仅限于50μm狭窄区间,采用爆炸复合工艺,界面局部区域出现成分均匀的铸态组织,采用轧制复合工艺,界面有外加高镍夹层,它阻止基,复材料在中热和轧制过程中成分的扩散。  相似文献   
5.
电子背散射衍射技术及其应用   总被引:6,自引:1,他引:5  
电子背散射衍射 (electronbackscattereddiffraction ,EBSD) ,是开始于 2 0世纪 90年代初的一项应用于扫描电子显微镜 (SEM)的新技术。此技术实现了在块状样品上观察显微组织形貌的同时进行晶体学数据的分析 ,改变了传统的显微组织和晶体学分析是两个分支的研究方法。它大大地拓展了SEM的应用范围 ,目前已经变成了类似于X射线能谱仪 (EDS)的SEM的一个标准附件。1 EBSD的理论基础1 1 电子背散射衍射花样 (EBSP)的形成电子背散射衍射花样 (electronbackscatte…  相似文献   
6.
应用EBSD技术研究了1 000℃~1 300℃固溶处理对超级双相不锈钢S32750组织的影响.结果表明,1 050℃以上固溶可以消除热轧态的σ相;随着固溶温度升高,铁素体相含量增加,奥氏体相含量下降,1 200℃以上铁素体晶粒明显长大;最佳固溶处理温度在1 050℃~1100℃之间.  相似文献   
7.
刘承志  王贵平  张寿禄 《连铸》2011,(Z1):353-357
简要介绍了奥氏体不锈钢连铸坯容易出现的几种表面缺陷,如凹陷、深振痕、渣坑、压坑(痕)等,并对表面缺陷进行了解剖分析,结果表明,凹陷、深振痕、渣坑下偶发伴随着裂纹缺陷;且渣坑下有孔洞缺陷,孔洞距表层约1~2 mm;压坑下无裂纹、孔洞缺陷。  相似文献   
8.
通过对含W的S32760超级双相不锈钢不同温度时效热处理研究σ相的析出行为.用扫描电镜和透射电镜分析σ相的形貌和化学组成,并研究σ相对力学性能和耐腐蚀性能的影响.在850~1000℃之间,实验钢析出大量由Fe-Cr-Mo-W组成的具有正方结构的σ相,钢板强度和硬度高,塑性差,延伸率低于4%;1050℃时仍存在少量析出,虽然延伸率大幅度提高至31.1%,但冲击韧性离散度高,冲击功偏低;直至1080℃,σ相才能完全溶解至基体中,抗拉强度为640MPa,延伸率为35.5%,纵、横向冲击功平均值分别达到217J和110J.随时效热处理温度升高,点蚀电位提高,点蚀失重率不断下降,1080℃热处理的试样点蚀电位高达1246mV.该试样在50℃的3.5% NaCl溶液中腐蚀失重率也仅为0.005~0.007g·m-2·h-1.   相似文献   
9.
张寿禄  赵泳仙  宋丽强 《钢铁》2012,47(2):72-75
 研究了00Cr25Ni7Mo4N超级双相不锈钢在600~1000℃不同温度时效以及920℃和830℃等温时效过程中的χ相析出规律,利用扫描电镜的背散射电子探测器观察了χ相的析出数量和分布,采用透射电镜和X射线能谱仪分析了χ相的结构和成分。结果表明,χ相的析出温度范围在750~920℃之间,其峰值温度约为830℃。相比σ相,χ相析出数量较少,主要分布在α/γ相界和α/α晶界。从等温时效过程看,00Cr25Ni7Mo4N钢中χ相的析出经历了孕育、快速析出、达到饱和以及逐渐转变为σ相的系列过程,表明χ相是一种亚稳相,随着时效时间的延长,χ相会转变为σ相。  相似文献   
10.
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