自修复微胶囊复合材料的制备及力学性能研究

为了提高树脂基复合材料的使用寿命,以脲醛树脂为壁材,双环戊二烯为囊芯,通过原位聚合法制备了内含修复液的微胶囊,探讨了反应过程中脲醛量比及乳化剂用量等对微胶囊表面形貌和结构的影响.通过优化工艺条件制备出表面致密的微胶囊,并将微胶囊埋植在环氧树脂基体中制备复合材料.采用扫描电镜对胶囊进行形貌表征,运用快速傅里叶变换红外光谱...     

新型(Sr0.5Ca0.5)3Ta(Ga0.5Al0.5)3Si2O14高温压电晶体的生长及性能表征

硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型(Sr_0.5Ca_0.5)₃Ta(Ga_0.5Al_0.5)₃Si₂O₁₄(SCTGAS)高温压电晶体，并研究了离子取代对晶体生长及电学性能的影响。生长的SCTGAS晶体无色，结晶质量较好，呈现出板面生长形态，在可见光波段具有较高的透过性。在450℃测试温度下，该晶体的电阻率仍高于10⁹Ω·cm。此外，Sr取代能够显著增强晶体的高温压电系数d₁₁,550℃时该值达到5.55 p C/N。因此，SCTGAS晶体在高温压电传感器领域展现出良好的应用潜力。     

中子探测用LiInSe2晶体生长及表征

LiInSe₂晶体是一种可在室温下探测热中子的新型半导体中子探测材料。本文采用低温合成法，获得大量高纯多晶LiInSe₂原料，通过改进生长工艺得到了高质量的红色LiInSe₂晶体。通过研究晶体的透过率、夹杂相等，表征了晶体的生长质量，测试晶体对α粒子的响应来研究晶体进行中子探测的可能性。结果表明，晶体的红外透过率为75%，禁带宽度为2.3 eV，夹杂相密度达到2 900个/cm²，夹杂相的尺寸在1～10μm左右。测得电阻率在5×10¹¹Ω·cm左右，对α粒子的能量分辨率为55%。