NH4F对Li3N-hBN体系中合成CBN晶体的影响

本文研究了在Li3N—hBN体系中加入不同量的NH4F后，对CBN晶体的合成的影响。结果表明，加入NH4F后，合成压力降低了约20％。分析以NH4F和Li3N混合粉末为原料的实验结果后推测：在高温高压条件下NH4F首先会分解为NH3和HF,HF进一步和Li3N反应生成更加稳定的LiF和NH3，其化学反应式可以写成：3NH4F＋Li3N=3LiF＋4NH3，这一过程通过X光衍射分析实验产物得到证实。为了考察LiF在合成立方氮化硼过程中的作用，我们用Li3N和NH4F反应所制得的LiF单独作触媒，在LiF—hBN体系中进行了CBN晶体的合成实验，结果表明在上述压力温度条件下，没有CBN晶体生成，即LiF不宜单独做触媒。尽管在NH4F与Li3N反应消中耗了Li3N—hBN体系中的作为触媒的Li3N，但是，合成压力仍有较大幅度的降低，表明少量氨的存在，使CBN晶体的形成更加容易。     

准八面体CBN单晶的合成研究

通过对原料、触媒及合成工艺的研究，采用国产DS-029B型六面顶压机在4．2—5．3GPa，1350。1470℃的范围内，从hBN-单质触媒体系中合成出近乎完美的黑色八面体和截角八面体立方氮化硼单晶体。确定了该种形态的CBN晶体的生长区域。CBN晶体的尺寸在100—400μm，峰值粒度为125—150μm。对所得的晶体进行考察，发现这种CBN晶体结晶形貌发育比较完整、棱角尖锐、晶粒饱满，并且有较高的抗压强度。上述结果表明所用的单质触媒具有使CBN晶体均匀生长的能力，是一种合成CBN晶体的有效触媒，该种CBN晶体具有较好的破碎强度。     

关于提高MG1432A型高精度万能外圆磨床头架直流电机调速性能的探讨

上海机床厂生产的MG1432A型高精度万能外圆磨床是1980年获得国家银质奖的产品。为提高产品质量和打开国际市场销路,1979年曾对本机床结构和外观作了一些改进,其中包括用振动小、噪声小的Z_2-02-MD型精密直流电机(0.55千瓦、2300转/分、电枢电压220伏、额定电流3.2安培)取代ZKJ-32型直流电机(0.45千瓦、1500转/分、电枢电压220伏、额定电流2.7安培)。因为更换了电机,电机结构参数改变,而调速装置仍用原来的     

我厂曲轴磨床头尾架电气驱动方案简介

曲轴磨床是在外圆磨床基础上发展起来而成为一种专用的磨床,一般用来加工曲轴曲柄颈的,有的还能进行外圆磨削和锥磨。这类磨床主要适用于汽车、拖拉机和内燃机等行业。曲轴磨床与外圆磨床的最大区别在于其头、尾架的结构。由于曲轴的特殊结构—一很大的偏心,也就决定了曲轴磨床的头尾架结构。即为了磨好曲轴,要求头、尾架应尽可能的同步运行及加平衡块以保证均匀运转。在以往的曲轴磨床发展中,头尾架的电气驱动系统也在不断地发展与改进中。在一般小型曲轴磨床生产中,如我厂生产的M8240、M8260B等机床中多是单边驱动的,利用头架的…     

具有方钠石笼型结构AlB3C3化合物的第一性原理研究

碱金属和碱土金属笼型化合物因其优异的电学和力学性质一直吸引着科研工作者的目光。本工作应用第一性原理计算,系统地探索了具有方钠石笼型结构AlB₃C₃化合物的晶体结构、电子性质和力学性质。计算结果表明：常压下AlB₃C₃ 的晶格常数为a = 4.731 ?,能带附近有能带穿过费米面显示其金属性,B-C笼型框架中B原子和C原子形成了很强的sp3杂化共价键。此外,AlB₃C₃ 化合物力学稳定,体弹模量B0为228 GPa。本工作拓展了人们对金属强共价键笼型硼碳化合物的认识。     

化学反应直接成核生长立方氮化硼

本文用B2O3和单质B作为B源分别与Li3N作用,通过化学反应在低于Li3N-hBN体系合成CBN件下合成出了CBN晶体.在上述反应中最低合成条件分别为4.0 GPa-1400 ℃和4.5 GPa-1450 ℃.由于初始材料中不含BN,所以CBN晶体成核方式为化合物之间或化合物与单质间的化学键重组直接成核而非传统的从sp2杂化的hBN向sp3杂化的CBN相转化过程.实验证明,化学键重组成核所需能量要小于相转化成核所需能量.利用含有硼、氮原子的化合物之间在高温高压下的化学反应直接成核是制备CBN晶体的有效方法.     

组装方式对立方氮化硼合成的影响

组装方式不仅可以影响高压腔内温度压力的分布，最终影响合成晶体的质量，而且也直接影响到对原料hBN的选择。本实验用国产六面顶压机，在4～5GPa，1500～1700％范围内研究了组装方式对立方氮化硼（CBN）合成的影响。通过光学显微镜观察了晶体生长的特性及形貌。结果表明，在实验中，用粉末状触媒和六角氮化硼采取分片式组装，CBN的成核会聚集在片与片的交界面处，且生长的CBN晶体多为厚板状八面体。这是由于在粉压成型的过程中，受力不均造成了上下表面的触媒与六角氮化硼的密度高于内部的，且高密度的粉体也有利于温度和压力的传导，所以导致在此处的CBN成核数量高于内部。可见，预压的片越薄，片内各处的粉体密度就越相近。因此，在以粉体为初始原料合成CBN晶体的实验中采用薄片式组装方式，选取hBN粉体堆积密度大的为原料对于提高CBN晶体单位产量更为有利。     

在hBN-Li3N-B体系中合成黑色立方氮化硼

在高温高压条件下在hBN-Li3N-B体系中合成黑色立方氮化硼,研究了添加B的影响.结果表明,在合成的富硼cBN晶体中,没有其它杂质;体系中加入B使合成出的晶体晶形相更完整.过量的B进入晶体是晶体颜色由黄色变成黑色主要原因,硼的进入抑制了cBN晶体沿〈111〉方向生长而有利于沿〈100〉方向生长,由原来的板状晶体变成类八面体状或类球形晶体.用掺B的方法合成的黑色晶体比未掺B的黄色晶体具有更小的残余应力,破碎强度更高.