外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征

利用脉冲激光沉积（ pulsed laser depositon, PLD）方法在YSZ（ Y2 O3 stabilised zirconia）单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜（gadolinium doped CeO2,GDC）。利用透射电子显微镜（TEM）对GDC／YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。     

ZnGeN2晶体的结构和物性表征

ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV，而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度，因此，ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系。此外，ZnGeN2的晶格常数与GaN相差不到百分之一，也有可能作为GaN晶体生长的基体。但是，目前对ZnGeN2晶体生长，结构和物理性能研究的报道较少。     

剪切载荷作用下复合材料挖补修理层合板试验及有限元分析

为了确定剪切载荷作用下含非穿透损伤复合材料挖补修理层合板的破坏模式和抗剪切能力,进行了复合材料挖补修理层合板的剪切试验,并与未损伤复合材料层合板进行对比。试验结果表明,复合材料挖补修理后的层合板具有较高的强度恢复率,且不影响层合板的后屈曲承载能力。同时,建立了剪切载荷作用下复合材料挖补修理层合板的有限元分析（FEA）模型,复合材料母板和补片采用了三维Hashin准则来判定材料失效,母板层与层之间采用零厚度界面单元以有效模拟剪切载荷作用下复合材料母板上、下子板之间的分层。该模型得到的破坏模式与试验结果基本相符。由于挖补修理的设计与工艺复杂性,理论模拟的破坏载荷与试验结果虽不能完全吻合,但其最大15%左右的差异能够满足修理设计的需要。以上结果说明,该模型对剪切载荷作用下复合材料挖补修理层合板的破坏模式和破坏载荷能够进行工程适用的预测。     

TLD目标跟踪算法综述

TLD目标跟踪算法将检测和跟踪同时加入跟踪框架,并引入半监督机器学习算法对锁定目标不断学习以捕获其最新外观,使目标无处可逃,从而实现对未知目标的长时跟踪.简要介绍了TLD算法的理论背景和系统框架,并指出其存在的主要缺陷.然后对各个缺陷所提出的改进方法进行详细地综述,并给出自己的评述.最后总结全文并展望TLD目标跟踪算法在未来几年的发展趋势.     

β-Ni3Nb相单个平移畴界的相干电子微衍射研究

本文采用ＨＦ－２０００ＦＥＧ电镜对Ｚｈａｎｇ等＾「７」已经用ＨＲ－ＴＥＭ高分辨技术研究的β－Ｎｉ３Ｎｂ相的几种单个平移畴界进行了相干电子微衍射研究,不但对已发现Ｒ１＝「１／２,０,０」和Ｒ２＝１／４「１０２」型平移畴界进行了微衍射分析,而且发现了Ｒ５＝「１／４,１／２,０．８１」型平移畴界。     

Recrystallization During Thermo-Mechanical Fatigue of Two High-Generation Ni-Based Single Crystal SuperalloysEI北大核心CSCD

通过SEM和TEM等手段研究了经热机械疲劳变形后的第三代和第四代单晶高温合金的显微组织,了解高温合金在近服役条件下的变形组织,分析单晶高温合金近服役条件下的变形机制。结果表明,第三代和第四代单晶高温合金样品中在不同{111}面上产生了大量的变形孪晶,且在平行的孪晶片层中或者孪晶片层交截周围发现大量再结晶晶粒。再结晶晶粒的界面主要由变形后的孪晶界、小角度晶界以及孪晶相交产生的大角度晶界组成。借助像差校正透射电镜解析了变形后的孪晶界结构以及孪晶诱发动态再结晶的过程,揭示了单晶高温合金热机械疲劳断裂机制。     

实空间法在非正交晶系中的像模拟计算

在用实空间法对正交晶系进行像模拟计算的基础上，推导并证明了可用于非正交晶系像模拟计算的表达式，并以Mg4Zn7为例，运用实空间法计算了其出射面波函数的振幅与相位，所得结果与倒易空间法得出的结果相符。表明了实空间法处理非正交晶系的可行性。     

基于围壳声腔模态的孔腔流噪声特性及控制技术研究

针对围壳孔腔流噪声的控制问题,首先研究围壳孔腔流噪声的产生机理,结果表明围壳腔体声模态是影响孔腔流噪声辐射的主要因素,流噪声作为声源扰动,激发围壳腔体内部各阶声模态,从而使得辐射噪声出现多阶峰值。通过在围壳内部添加隔板可改变围壳腔体模态,抑制腔体对噪声的放大作用,显著降低1阶线谱幅值,对比分析了不同形式隔板对辐射噪声的抑制效果,对在工程实际中改善围壳孔腔流噪声具有一定的指导意义。