CVD法制备的Ir/Re涂层复合材料界面扩散研究

采用化学气相沉积(CVD)技术制备了Ir/Re 涂层复合材料,并在高温高真空条件下对复合材料样品进行扩散热处理。应用电子扫描波谱法探针研究了Ir/Re复合材料界面Re元素在Ir涂层中的扩散规律。应用半无限大扩散模型进行处理,得到了1400-2000℃温度范围的实验扩散系数,扩散系数与温度之间符合Arrhenius方程。根据实验结果推算,Ir/Re复合材料在2200℃时的工作寿命为47.6小时。     

全装修IDI实施的风险及建议

对全装修工程质量保险的范围予以界定,针对装饰装修和安装工程中存在的工程质量缺陷以及原因进行阐述。分析现阶段全装修IDI风险的来源,根据风险来源提出全装修IDI工作开展的建议。论文认为全装修IDI作为一个新的工程质量的控制模式,存在引起事故的原因不明确、保险费用低,但出险概率高、事故的责任难以量化的缺陷。因此,建议进行全建筑范围的投保,减少不必要的人力、物力的花费。     

全光亮和高耐蚀性非晶态合金层的制备新工艺

光亮和耐蚀性在金属镀层的应用中起着极其重要的作用。本研究是在普通碳素钢表面制备全光亮和高耐蚀性非晶态合金层的方法，其主要特点是化学镀溶液中不需加入任何光亮剂、整平剂、应力消除剂和润湿剂，就能从镀液中直接镀制出全光亮的非晶态合金层，在硫酸、盐酸、磷酸、氢氧化钠和氯化钠等强酸碱盐腐蚀介质中全浸腐蚀48小时，非晶态合金层具有很高的光亮度，不会变色。在空气中长期放置，非晶态合金层仍保持光亮性。另外，在酸性腐蚀介质中，非晶态合金层能使基体Q235钢的耐蚀性提高38倍以上，达到并超过1Cr18Ni9Ti不锈钢。     

Ir／Mo互扩散研究

研究了Ir/Re喷管制备过程中的Ir/Mo互扩散问题。在电子探针测量的基础上,根据扩散理论和Ir-Mo相图数据,建立并推导Ir/Mo扩散模型和解。计算得到Ir3Mo相中的互扩散系数为:D=9.0×10-9exp(-1.46eV/kT)(cm2/s),Ir基固溶体中的互扩散系数为:D=5.0×10-10exp(-1.1eV/kT)(cm2/s)。确定喷管中Ir/Mo互扩散的特点,给出估算Ir3Mo相层厚的方法。确定Re在Ir3Mo相中的扩散主要是受Ir控制。     

化学镀Ni-P合金层与橡胶粘合工艺的研究

由于橡胶工业的电镀黄铜工艺大量使用氰化物等剧毒物质,并且黄铜镀层的耐腐蚀性较低,降低了橡胶制品的性能,对此,为提高橡胶制品的使用寿命和减少镀黄铜、涂胶粘剂工艺所带来的污染,采用无污染和耐腐蚀性较好的化学镀镍代替镀黄铜工艺,以实现化学镀镍与橡胶的直接粘合.在试验过程中,进行了Q235钢化学镀镍工艺试验以及Ni-P镀层和橡胶的粘合试验,用扫描电子显微镜、电子探针和X-射线衍射仪等仪器对化学镀Ni-P合金层的组织结构进行分析并对镀层进行全浸腐蚀试验.用平板硫化机对Ni-P镀层与橡胶进行硫化粘合试验,用橡胶拉力试验机测定镀层与橡胶的粘合强度.结果结明,所制备的Ni-P合金镀层具有非晶态结构,镀层均匀致密,与基体的结力好.在硫酸和磷酸等强酸性溶液中,Ni-P合金镀层的耐腐蚀性高于电镀黄铜层和Q235钢基体.将三聚硫氰酸及其衍生物作为胶料偶联剂添加于胶料中,实现了化学镀Ni-P合金层与橡胶的直接硫化粘合,粘合强度达到10 kN/m.     

磁电机定子粉末涂敷

磁电机星型定子铁芯绝缘多采用塑料骨架嵌合。本文介绍了磁电机星型定子绝缘工艺中,粉末的选择、工艺的完善过程、及质量的控制。     

新型低压细水雾喷头设计与优化

本文介绍了细水雾喷头雾化机理,并针对传统细水雾喷头存在的雾化锥角较小、压力较高、保护半径过小的缺点,设计了一种新型低压细水雾喷头.该喷头创新采用了混合旁通管设计和气泡雾化技术相结合的方案,同时在喷头末端配多规格喷嘴、防尘罩、玻璃球等配件.应用连续性方程、动量守恒方程和k-ε湍流模型方程,通过计算流体动力学软件分别进行了单相流和两相流的二维流动数值模拟.模拟结果表明,大约20s后流体趋于稳定,模拟得到喷头腔内到喷嘴处压力渐弱,从0.8MPa衰减到0.1MPa,水雾速度由6m/s加速到大约60m/s,雾化锥角超过15°.结合该喷头结构进行分析,表明该喷头相对传统低压细水雾喷头具有雾化锥角大、作用半径大、轴向动量充足的优点.     

CVD制备Ir/Re复合材料的显微组织和再结晶研究

采用CVD方法制备了Ir/Re复合材料。研究了Ir层中Ir晶粒的形貌和生长特点,计算得到Ir晶粒生长动力学方程:(x2-x02)/t=4.31×103exp(-2.65eV/kT)(μm2·s-1)。研究了CVD过程中Re层表面晶粒生长和V,W型浸蚀纹的关系。对靠近Ir层的细晶粒区和Re层中部的柱状晶粒区中Re晶粒的再结晶长大进行了研究,计算得到柱状晶区中Re晶粒的生长动力学方程:(x2-x02)/t=2.55×103exp(-1.52eV/kT)(μm2·s-1),研究了Ir/Re扩散、Re扩散对细晶区中Re晶粒生长动力学的影响。