基于DSP的4FTSK调制与解调系统的研究

针对短波通信系统中的抗衰落和抗干扰问题,分析了4FTSK调制及解调技术,设计了以数字信号处理器DSP作为实现平台,根据4FTSK的调制解调原理,运用对应的算法直接在芯片内部实现调制与解调.试验表明该方法简单灵活,性能稳定.     

水稳剂(Pc602)在城市热网中的应用

随着四化建设的发展,集中供热的热潮正蓬勃兴起。这不仅节约能源,而且还给人们的生活带来了方便,然而,一个热网的建成是要投入巨额资金的。一般说来,一个供热面积为二百万平方米的热网系统大约需投资二千万元。因此为延长热网的使用年限,对热网中的循环水进行处理,以减少对管网的腐蚀。这是一个十分重要的问题。基于上述情况,我们对水稳剂Pc602(北京化工学院研制的多元醇磷酸酯类水稳剂)。在城市热网中的应用进行了一些试验。如     

0.18 μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18 μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18 μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。     

0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。     

用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算

用一种比较简单的Jaffe近似方法计算了质子在SiO2中的电子空穴对的逃逸率,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响.得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比的结果.计算结果与实验结果的比较,说明了Jaffe近似方法可以比较正确地描述质子在二氧化硅中的总剂量效应.     

MOS器件的质子总剂量效应

介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ,对于 NMOSFET,不论是加固器件 ,还是非加固器件 ,在 +5 V的栅压偏置下 ,器件的辐射损伤比 0 V栅压下的损伤严重 ,对于加固器件 ,辐射感生界面态的密度也较高 ;而加固型 PMOSFET,在 0 V的栅压下 ,辐射损伤比 - 5 V下严重 ,且界面态的密度高