一种新型的陷波天线

设计了一种新型的超宽带天线,具有小型化,2.0~10.6GHz的工作带宽及全向性的特点。基于该超宽带天线提出了一种新的实现陷波特性的方法,在天线的地板上添加一个近似半圆的谐振单元,该单元与辐射部分通过一个通孔相连,并且所加的结构对原始超宽带天线的其他特性影响很小。同时给出了该方法的等效电路。仿真与实测结构均表明该超宽带天线驻波比(VSWR)小于2的阻抗带宽是2.0~10.6GHz,天线在5.0~5.9GHz处有明显的陷波特性,很好的覆盖了无线局域网(WLAN)(5.125~5.85GHz)的工作频段。可以解决超宽带通信频段与WLAN间的电磁干扰问题,实现频谱兼容。     

无线传感器网络中协作ARQ协议能量效率分析及优化

文章研究了无线传感器网络中协作自动请求重传（Cooperative Automatic Repeat Request, CARQ）协议的能量效率及其优化问题。定义协议的能量效率为单位能耗所支持的分组成功传输的个数,导出了CARQ协议和传统ARQ协议的能量效率表达式以及CARQ协议相对ARQ协议的能效增益表达式,依此对两协议的能量效率进行了仿真研究,发现协作节点的位置对协议的能量效率有重要影响,当通信距离大于“门限距离”时,CARQ协议的能量效率才高于传统ARQ协议能效;进而提出了一种离散优化算法,通过优化调制水平,大大提高了CARQ协议的能效及能效增益。      

QUASICONTINUUM METHOD SIMULATION OF THE INITIAL PLASTIC DEFORMATION OF SINGLE CRYSTAL Cu IN NANOINDENTATION

采用准连续介质方法模拟了纳米压痕实验中单晶Cu初始塑性变形过程. 采用3种不同宽度的纳米尺度压头, 得到了载荷-压痕位移关系曲线, 确定了 3种不同宽度压痕下位错发射的临界载荷. 临界载荷的大小与能量理论的预测结果基本一致. 通过对压头下方位移场的分析, 揭示了加载过程中位错形核的力学特征和微观结构特征; 得到了压头下方几何必需位错密度增加的一般规律. 定性地分析了卸载过程中位错的运动与湮灭.     

连续冷却过程中低碳钢奥氏体→铁素体相变的元胞自动机模拟

采用低碳钢连续冷却过程中奥氏体→铁素体相变的元胞自动机模型，模拟了铁素体晶粒形核与生长的全过程，模型中考虑了溶质扩散在相变过程中的作用。在元胞自动机的网格内，晶粒的形核与生长用两个概率的变化来描述它们之间在相变过程中的相互竞争关系，给出了形核与生长的元胞自动机规则。总结了元胞自动机方法解决铁索体晶粒形核与生长问题的过程，并在该模型的基础上分析了冷却速率等因素对于晶粒形核与生长的影响。     

高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得了超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向的分布曲线。     

InSb/GaAs半导体界面结构研究

本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量分析得到了界面位错区附近的晶格点畸变位移分布，基于该实验结果中文提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型，该界面模型合理地解释了界面位错的起因及ＩｎＳｂ薄膜在ＧａＡｓ基体上升延生长过程中的物理现象，计算机模拟的界面电子衍射谱和高分辨原子像与实验结果的一致性符合验证的所建立的界面模型的正确性。     

元素掺杂对Bi电迁移影响的第一原理计算

应用第一原理方法研究通过元素掺杂来抑制SnBi无铅焊料中Bi的电迁移问题.在SnBi体系中掺杂zn和Sb元素,通过用近弹性带方法计算掺杂体系中Bi元素的扩散能垒.结果表明:加入Sb之后,Bi的扩散能垒由原来的0.32 eV升高到0.46 eV,扩散激活能由原来的1.14 eV升高到1.18 eV;加入Zn后,Bi的扩散能垒由原来的0.32 eV升高到0.48 eV,扩散激活能由原来的1.14 eV升高到1.22 eV.由此可得,Zn和Sb的加入都能够提高Bi的扩散激活能,起到抑制扩散的作用.通过分析态密度可知:加入Zn和Sb后,体系中Sb与Bi的p态曲线几乎完全重合,比Sn与Bi的p态曲线重合度高很多,说明sb和Bi的共价键作用很强,且比Sn-Bi的共价键作用强,从而增加Bi的扩散能垒.同样,Zn和Bi的p态曲线重合度也比Sn和Bi的曲线重合度高很多,表明Zn-Bi的共价键同样比sn-Bi的共价键强,所以Zn的加入同样增加Bi的扩散能垒.总结说来,Sb和zn的掺杂能够抑制SnBi焊料中Bi的电迁移.     

Mg-La和Mg-Nd二元合金相稳定性的第一原理研究

La和Nd是镁合金中常用的稀土添加元素,为了帮助理解它们在Mg合金中的强化机制,应用第一原理计算方法,研究了Mg-La和Mg-Nd二元合金的相稳定性.计算结果表明,Mg-La和Mg-Nd合金在Mg₁₂RE和Mg₃RE之间的平衡相分别为Mg₁₇La₂和Mg₄₁Nd₅;La和Nd在Mg中的溶解度大小差别较大,表明者在镁合金中产生强化的机理不同;Mg₃Nd具有比Mg₁₂La更大的弹性模量,因而具有更好的强化效果.     

IVB和VB过渡族金属碳化物及其表面的结构和电子态的第一原理研究

通过第一原理方法系统地研究了IVB和VB过渡族金属碳化物块体以及表面的结构和电子态性质．讨论了不同碳化物表面褶皱的共同特征和相互差别、碳化物表面褶皱的产生对表面电子分布情况和表面能的影响、碳化物的结合能和表面能的变化趋势、以及表面能与结合能之间的关系．提出了块体结合能和表面褶皱程度两种因素共同影响和决定IVB和VB过渡族金属碳化物（001）表面能的观点．     

高速离心泵系统改造

根据生产现状 ,对新老设备并联运行中存在的相互制约、影响生产平稳运行的瓶颈问题进行分析 ,并结合实际提出对原有设备进行改造 (提高扬程 )的措施。