USb2单晶的生长及磁性和输运性质研究

采用Sb自助熔剂法成功生长高质量的USb₂单晶,并研究了磁化率、电阻、磁阻和比热等性质。研究表明,中等关联强度的USb₂中的5f电子具有巡游和局域双重特征。USb₂中的5f电子在260 K附近开始发生相干,203 K由顺磁态转变为反铁磁态,进行费米面的重构。在113 K以下局域的5f电子与传导电子发生第一次杂化使费米面附近电子结构发生变化。在54 K以下通过第二次杂化使得费米面附近形成了杂化能隙。在更低温度下晶体场效应对物理性质也产生了一定的影响。