梁柱节点剪切变形计算模型基本假定的校核

现有钢筋混凝土梁柱节点的剪切变形计算模型包含两个基本假定,即矩形的节点核心区发生剪切变形后变为平行四边形,以及4个角点沿矩形原对角线伸长或缩短,且对角线不转动。基于ABAQUS有限元软件,以多组钢筋混凝土梁柱组合体试验结果为依据,对有限元模型的合理性进行了校核,并在此基础上对单调加载和反复加载下钢筋混凝土中间层中节点的受力性能进行了模拟。提取了变形后节点核心区4个角点的坐标数列,根据几何关系直接计算了节点剪切变形,并将其与试验实测结果进行了对比,验证了节点剪切变形计算模型基本假定的合理性。分析结果表明,计算模型采用的平行四边形假定是合理的,但对角线不转动假定存在一定误差。节点对角线转动角度将影响梁端、柱端方向的节点剪切角的计算精度,建议对现有节点剪切变形计算公式进行修正。     

静电纺丝制备纳米纤维的研究进展

纳米纤维具有直径小、比表面积大和易于实现表面功能化等优点,受到了广泛的关注,而静电纺丝技术被认为是制备聚合物纳米纤维最简单有效的方法,因此国内外学者对静电纺丝技术进行了详细的研究。简单介绍了静电纺丝技术的工作原理,详细阐述了影响静电纺丝的主要工艺参数,包括溶剂、溶液的浓度及黏度、电导率、工作电压、纺丝速度和接收距离等,并叙述了静电纺丝纳米纤维在过滤材料、传感器和生物医学等方面的应用,也指出了该技术存在的一些问题及其应对措施。     

电网公司综合能源服务业务混合所有制改革模式探析

指出电网公司为了提升市场竞争力,需要大力发展综合能源服务业务。在当前市场环境下,进行混合所有制改革将是提升电网公司综合能源服务业务发展水平的必由之路,分析了电网公司综合能源服务业务的发展现状;在借鉴国企混改案例成功经验的基础上,提出了电网公司综合能源服务业务进行混合所有制改革的三种模式;对三种模式进行了比较,明确各模式的优劣势。     

硬脆材料切割过程中基于线锯速度的切割力自适应控制

光学玻璃、工程陶瓷以及硅基材料等硬脆材料因其良好的物理性质和化学性质而广泛应用于光学工程及集成电路等高尖端技术领域,但低塑性、高脆性的物理特性会导致其切片在切割过程中易出现效率低和表面质量较差等问题。为提高切片表面质量,建立了金刚石线锯切割过程中线锯速度与切割力的模型,设计最小方差自校正控制器对切割力进行在线实时控制。实验结果表明：所设计的最小方差自校正器能够降低线锯切割系统中切片所受的切割力波动,使切割力趋于稳定;与定参数切割条件下所得的切片进行比较,采用最小方差自校正控制策略切割完成的工件表面形貌较为平整,表面粗糙度值降低约30%.     

开滦矿区东欢坨煤矿瓦斯涌出规律分析

分析了东欢坨煤矿瓦斯涌出特点,研究了影响瓦斯涌出的地质因素,其主要有断层和褶皱、地下水、顶底板岩性、煤层埋深。结果表明:遇正断层瓦斯涌出量减少;地下水丰富,瓦斯涌出量减少;砂泥岩比越大瓦斯涌出量越少;煤层埋深增大,瓦斯涌出量增加。同时,结合矿区实际情况,对8煤、9煤瓦斯涌出量进行了分源预测。研究成果对认识煤矿的瓦斯分布特征、指导该矿的安全生产具有一定的现实意义。     

气体钻井地层剪切应力井斜规律研究

气体钻井时因没有围压,地层的各向异性指数变化较大,使得地层造斜率与钻井液钻井时的地层造斜率有所不同.为了更好地理解气体钻井井斜规律,利用有限元理论,建立了不同钻井方式下的岩石力学模型,在考虑不同地层倾角和不同循环介质影响的基础上进行井底岩石剪切应力计算,分析出气体钻井井斜规律.计算结果表明:在相同的工程和地质条件下,气体钻井时地层造斜力远大于钻井液钻井的几率约为35%,气体钻井更易发生井斜,而小于或等于30.地层倾角钻井时井眼轨迹偏向垂直于地层倾斜面的方向;45.地层倾角钻井时井斜趋势不明显;大于或等于60.地层倾角钻井时井眼轨迹偏向平行于地层倾斜面的方向.     

Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制

研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原理和软硬件实现方法。     

墨西哥湾盆地深水区油气分布特征及勘探潜力

通过分析墨西哥湾盆地油气资源勘探现状、油气地质特征,及与油气成藏密切相关的盐岩形成、演化和分布特征,进一步认识到墨西哥湾盆地上侏罗统牛津阶—第四系更新统发育了4套优质烃源岩和多套性能优越的储集层,封堵性能良好的局部和区域盖层遍布整个新生界层系,断层提供了运移通道,构造和地层圈闭发育,具有优越的生储盖等油气成藏条件。盆内中侏罗统发育一套广泛分布的厚层盐岩,很多大型油气藏均与该盐岩相关。盐上和盐下储层中均有可观的油气发现,随着油气勘探理论和技术的进步,盐下油气藏的潜力逐渐显现出来,勘探潜力很大。     

Impacts of test factors on heavy ion single event multiple-cell upsets in nanometer-scale SRAM

Single event multiple-cell upsets (MCU) increase sharply with the semiconductor devices scaling. The impacts of several test factors on heavy ion single event MCU in 65 nm SRAM are studied based on the buildup of MCU test data acquiring and processing technique, including the heavy ion LET, the tilt angle, the device orientation, the test pattern and the supply voltage; the MCU physical bitmaps are extracted correspondingly. The dependencies of parameters such as the MCU percentage, MCU mean and topological pattern on these factors are summarized and analyzed. This work is meaningful for developing a more reasonable single event test method and assessing the effectiveness of anti-MCU strategies on nanometer-scale devices.