钽的CVD动力学规律及显微组织

简述氢气还原氯化钽化学气相沉积钽(CVD)的主要原理,研究氯化、氯气流量、氢气流量和沉积温度4个参数对沉积速率及沉积层显微组织的影响。结果表明:氯化温度对沉积速率的影响最小,沉积温度的影响最大;显微组织由小晶粒区和柱状晶区组成,沉积参数改变,柱状晶晶粒大小发生变化。     

CVD温度对钽涂层组成、显微组织及形貌的影响

利用TaCl2-H2-HCl反应体系,采用冷壁式化学气相沉积法(CVD)在钼基体表面沉积钽涂层。通过X射线衍射仪、金像显微镜及扫描电镜等手段,对不同沉积温度下钽涂层的组成、组织及形貌进行了研究。结果表明:在1000～1300℃范围内,钽沉积层的相组成无变化,而对择优生长有一定影响;钽沉积层晶粒尺寸随沉积温度的升高而增大;钽沉积层表面颗粒呈金字塔形多面体且随沉积温度的升高而增大。     

CVD温度对钽沉积层性能的影响

介绍了化学气相沉积(CVD)制备难熔金属钽涂层的原理及方法。采用冷壁式化学气相沉积法,在钼基体上沉积出难熔金属钽层。分析研究了CVD温度对沉积层的沉积速率、组织、结构和硬度等的影响。结果表明:在1000～1200℃温度范围,沉积速率随温度升高而增大;当温度超过1200℃时,沉积速率随温度的升高反而略有减小;沉积层组织呈柱状晶并随温度的升高逐渐增大;沉积层的硬度及密度随温度的升高而逐渐降低。化学气相沉积钽的最佳温度在1100℃左右。     

化学气相沉积技术及在难熔金属材料中的应用

简述了化学气相沉积技术(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)的发展历程及其应用领域;重点阐述CVD技术在难熔金属(W、Re、Ta、Mo、Nb)相关领域的应用概况并展望了其研究前景,特别指出CVD技术在制备难熔金属合金研究上存在的挑战和机遇。