车用滑阀式磁流变减振器设计与外特性仿真

介绍了车用滑阀式磁流变减振器的设计方案。为了确保在零场条件下磁流变减振器仍能提供足够的阻尼力,设计了滑阀式活塞组件结构。详细阐述了该减振器的工作原理,分析了阻尼力模型。运用Simulink软件对减振器进行了外特性仿真,结果表明该减振器在零场与励磁环境下均具有可靠的阻尼性能。     

两面顶金刚石单晶耐热性分析

本文通过热失重（TGA），示差扫描量热（DSC）法，扫描电镜（SEM），热侵蚀等方法分析了国产两面顶压机合成的金刚石单晶在空气中的耐热性。还分析了热侵蚀后金刚石的形貌变化并进行了抗压强度，T1、TT1的测量，将国产金刚石与进口金刚石作了大量的对比试验，发现两者的耐热性非常接近。发现金刚石的起始氧化温度在700℃左右，此时开始失重；剧烈氧化温度在850％左右，此时失重最为严重。在加热温度超过1200℃时在DSC图中出现了第二个放热峰，表明金刚石在受热温度超过1200℃时经历了第二次剧烈氧化阶段。这可能是由于在高温下触媒的反催化作用引起的。这为金刚石工具制造者及使用者提供了参考价值。     

压力、功率梯度对金刚石性能的影响

本文旨在研究两面顶合成工艺中金刚石在生长阶段通过改变压力、功率梯度实现改变生长驱动力后对金刚石性能的影响，分析了相应的影响机理。在间接加热腔体结构中，金刚石生长过程采用两种压力、功率梯度进行合成，合成后对所得的样品进行了静压强度、冲击强度、表面形貌检测。结果表明：生长前期的压力和功率梯度增加两倍，生长后期梯度减缓，TTI和TI分别增加了10％。研究认为生长早期压力、功率大梯度（压力增幅大，功率降幅大）有利于提高晶体内部质量，生长后期压力、功率小梯度（压力增幅小，功率降幅小）有利于提高晶体外部质量。     

浓缩法分析金刚石内的杂质元素

金刚石内的杂质是影响性能的主要因素之一,通过浓缩法(将金刚石放在马弗炉里充分燃烧后检测残余物)借助配有能谱(EDS)的扫描电镜(SEM)检测出金刚石里的杂质元素并观看了残余物的形貌。发现金刚石里包含F e、N i、C a、A l、S i、S、C l、K、N a、T i、M g等杂质;而且残余物中F e-N i合金有两种不同的形状,即片状和颗粒的聚集体。分析表明:金属杂质是更易渗透进金刚石里的,而且它们在两面顶合成的金刚石里以颗粒状杂质为主,并在金刚石里是分散排布的,由于在马弗炉里受高温作用而浓缩在一起。包裹体的存在破坏了晶格结构,影响了物理化学性能,应根据杂质的来源而尽量设法避免杂质的进入。     

利用国产30MN两面顶压机开发高品级金刚石的研究

分析了国内目前超硬材料行业的现状，介绍了在发展两面顶技术方面所开展的工作及取得的进展，尤其是在25MN合成工艺的基础之上成功开发出30MN金刚石合成工艺。30MN合成工艺的成功将有助于提高金刚石质量，开发附加值更高的超硬材料产品。因此，虽然两面顶技术难度大，风险大，但具有产品质量高等优点。     

无烧结助剂SiC陶瓷的高压烧结研究

以纳米SiC为原料,用两面顶压机在不同工艺条件下(1100-1300℃,4.0-4.5GPa,20-35min)实现了无烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结.研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响.用XRD、SEM、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征.结果表明:采用超高压工艺可实现无烧结助剂SiC陶瓷高致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,维持在纳米级,晶格常数收缩发生了收缩;烧结体显微硬度和密度随烧结温度、烧结压力、保温时间的升高或延长而提高.在4.5GPa/1250℃/35min的超高压烧结条件下烧结的无烧结助剂SiC致密度达到96%,且显微硬度达到Hv1.96 3850.     

功能梯度材料的研究现状及展望

功能梯度材料(FGMs)是一种全新的非匀质复合材料,因其优异的结构性能和潜在的应用价值受到人们的高度重视。简要阐述了功能梯度材料的发展历程、研究现状、应用,详细总结和分析了功能梯度材料的制备方法,最后展望了功能梯度材料的发展前景。     

片状与粉末触媒对石墨转化成金刚石的催化效率研究

为了研究片状与粉末的镍基或铁基触媒对石墨转化为金刚石的催化性能的影响，采用金刚石成核和生长动力学方法分别计算了片状与粉末触媒参与下金刚石生长的活化能与比表面能。结果表明，无沦是片状还是粉末触媒，这两种触媒对金刚石生长活化能与比表面能的影响差异很小，比表面能与金刚石的结晶形态有关，决定于合成的温度压力条件。然而，粉末触媒的催化效率比片状触媒高得多，更有利于石墨转化为金刚石。     

金刚石/铜复合材料中金刚石石墨化的研究

通过X射线衍射（XRD）和拉曼光谱对用作电子封装材料的金刚石／铜复合材料中金刚石的石墨化进行了研究，结果表明，利用先进的两面顶设备及工艺制备的金刚石／铜复合材料中金刚石并未石墨化，并对此结果进行了讨论。     

纳米SiC陶瓷的超高压烧结研究(英文)

以纳米SiC为原料,用两面项压机在不同工艺条件下(1 000～1 300℃,4.0～4.5 GPa,15～35 min)实现了40(质量分数,下同)Al2O3烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结.研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响.用X射线衍射、扫描电镜、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征.结果表明:Al2O3是有效的低温烧结助剂,在超高压工艺下添加4%Al2O3即可实现SiC陶瓷全致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,维持在纳米级,晶格常数收缩了约0.45%;烧结体显微硬度和密度随烧结温度、烧结压力的升高或保温时间的延长而提高.