难熔金属Zr中痕量杂质的ICP-MS测定

研究了难熔金属Zr中痕量杂质的ICP_MS分析方法 ,系统考察了ICP_MS中介质影响 ,多原子离子干扰 ,基体影响及不同内标的校正作用等 ,并试验了难熔金属Zr的消解方法 ,设定了最佳工作参数 ,标准加入回收率为 (10 0±10 ) % ,方法的检出限 <0 92mg/L ,精密度RSD <5 % ,样品分析结果准确可靠。     

ICP-MS分析进展及其在稀有难熔金属分析方面的应用

综述了ＩＣＰ－ＭＳ分析技术的起源,现状和最新进展。简单介绍了ＩＣＰ－ＭＳ技术的特点,干扰问题及其克服方法等,阐述了ＩＣＰ－ＭＳ的应用状况,并重点说明了ＩＣＰ－ＭＳ在稀有难熔金属分析方面的应用。     

氢氟酸中痕量杂质的ICP-MS分析测定

研究了用HP 4500型ICP-MS方法分析半导体用浓氢氟酸中的痕量杂质。在半导体业,所用试剂要求在10 ng.ml-1级。采用样品直接稀释法,在优化的实验条件下,采用HP 4500型ICP-MS实现了样品中Na,Mg,Al,K,Ca,Cr,Fe,Ni,Cu,Pb,10种杂质元素的同时测定,降低了样品玷污的可能性。屏蔽炬系统和冷等离子体的使用,很大程度上提高了检出限,使K,Ca和Fe获得令人满意的测量结果。所有元素的测定均在相同条件下进行,检出限为0.8~20 ng.ml-1。