城市污水处理厂增加脱氮除磷功能的改造实践

为了满足国家对城市污水厂出水氮磷的排放要求,采用倒置AAO工艺对常州市某污水处理厂的三期工程原有普通活性污泥法工艺进行了改造.在没有新建生化反应池和增加回流系统的前提下,通过提高活性污泥浓度,在原生化反应池内进行了缺氧/厌氧/好氧功能区的分配,取得了良好的脱氮除磷效果.新工艺对NH3-N和TP的去除率均达到90%以上,对TN的去除率为45.4%.通过对生化反应池内污染物浓度沿程变化情况的监测,初步分析了工艺运行机理,为今后其它城市污水厂的改造积累了经验.     

水热合成勃姆石纳米棒及其改性复合膜

商用锂离子电池隔膜遭受高温时,会发生热收缩现象,通过涂覆无机颗粒对隔膜进行改性,可以有效地提高隔膜的热稳定性能,从而提高锂离子电池的安全性能,而勃姆石纳米棒具有耐热性好和弹性模量大等特点,适用于涂覆改性隔膜。本研究利用AlCl₃和NaOH与NH₄OH混合沉淀剂,通过水热法制备了勃姆石纳米棒,并使用线棒涂布工艺制备了涂覆复合膜,显著提高了隔膜的热稳定性能。通过扫描电子显微镜(SEM)与X射线衍射仪(XRD)研究了pH值、沉淀剂配比、保温时间和水热温度等对产物形貌的影响。研究结果表明,当pH值升高时,勃姆石纳米棒长度减小,直径增大;当增加NH₄OH的体积比时,水热产物长度减小,直径增大,但分散更加均匀,典型的水热产物长度为200-400nm,直径为40-50nm,且涂覆复合膜具有良好的热稳定性,150℃下热处理0.5h后尺寸收缩小于5%。因此,利用水热法成功制备的符合隔膜涂覆改性的勃姆石纳米棒具有应用前景。     

太阳电池生产过程的质量控制

本文从产品质量控制的角度出发,阐述了太阳电池生产流程中各主要工序的质量控制要求。在工艺稳定的前提下,通过对不同工序的工艺质量进行监控,以稳定生产、保证产品质量、提高生产成品率。     

钛离子注入类金刚石碳膜的结构与性能的研究

使用金属离子注入的方法制备了 Ti掺杂的DLC膜。采用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌,Ti掺杂后 DLC 膜的表面粗糙度明显减小,表面光洁度增加,颗粒细化。拉曼光谱分析表明实验获得的薄膜是典型的DLC膜,掺杂Ti后的 DLC膜的拉曼光谱存在明显的肩峰,DLC膜化学结构中的sp2 组分增加,sp3 组分减少。透射电子显微镜分析表明Ti注入后有TiC纳米晶形成。掺入Ti的 DLC膜的硬度从 14GPa增加到 20GPa。Ti 掺杂后的 DLC 膜的摩擦系数(0.15)明显低于未掺杂的DLC膜的摩擦系数(0.21),Ti离子注入有助于提高薄膜的抗磨损性。     

重心坐标系下三次B样条奇拐点分析

首先介绍了三次C样条和重心坐标的定义,并且给出了重心坐标系下三次B样条的参数表示形式,通过对仿射不变量p的两种情况进行分类讨论,给出重心坐标系下三次B样条奇拐点判别的充要条件。在实际应用中只需要计算一些简单三角形的面积便可以判断奇拐点的情况。便于上机运算。     

悬浮填料固定床固液分离新技术的研究

在活性污泥工艺的生化反应池末端设置悬浮填料固定床进行固液分离可实现生化反应池出水直接达标排放。该固定床所占体积仅为传统二沉池的1/4~1/3,可在保持生化反应池处理能力基本不变的前提下,实现泥水混合液的固液分离,从而取消二沉池。进行了规模为48m3/d的中试对比研究,1#系统为传统工艺,由生化反应池和二沉池组成;2#系统采用与1#系统相同的生化反应池,但在池末端设置悬浮填料固定床,并取消了二沉池。试验结果表明,两系统出水生化指标基本相同,2#系统出水的SS明显低于1#系统,达到城镇污水处理厂污染物一级排放标准(GB18918—2002)。并给出了新工艺的推荐设计运行参数,以作为生产性试验的依据。     

非平衡磁控溅射类金刚石碳膜的性能

用非平衡磁控溅射的方法在室温下制备了光滑、均匀、致密的类金刚石(DLC)薄膜,分析和研究了DLC膜的形貌、结构和摩擦特性.结果表明,靶工作电流对DLC膜的沉积有重要的影响.随着工作电流的增大,薄膜的沉积速率增大,薄膜中sp3键的含量增加.薄膜的摩擦系数随着工作电流的增加略有增大,在摩擦的初始阶段,摩擦系数较高,随着摩擦循环次数的增加,摩擦系数逐渐减小,并逐渐趋于稳定.     

基于电喷射的烧结型银墨水打印成型

提出了银墨水电喷射打印技术,利用电场力和粘性力聚焦墨水,获得了远小于喷孔内径的精细射流;利用热场加快墨水固化成型速度,减缓了打印结构在基底上的扩散;设计了喷针冷却夹具,保证了墨水能够稳定流通。使用烧结型银墨水在氮化硅多晶镀膜硅基底上打印了微米银线结构,并测试了其几何形貌和电学性能,结果表明,该技术可以稳定打印制造宽50μm,高宽比0.36,电阻率6.5μΩ·cm的微米银线结构。     

90°弯管磁过滤阴极弧沉积类金刚石膜的特性分析

利用动态机械热分析仪研究了四种镁硅合金的阻尼性能.研究表明:铸造镁硅合金具有良好的阻尼性能.并且体现出有别于纯镁的新阻尼特征,铸造镁硅合金具有较纯镁在更大应变振幅范围内的弛豫型内耗.由于Mg2 Si对晶界的钉扎作用,界面阻尼峰出现在较纯镁更高的温度.少量钙的添加改善了Mg2 Si析出的形态,但对阻尼性能的影响似乎不明显.